华中科技大学高亮获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种电荷耦合器件以及电荷耦合器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211362393.1，技术领域涉及：H10F39/15；该发明授权一种电荷耦合器件以及电荷耦合器件的制备方法是由高亮;陈龙;唐江;张建兵;张琳祥设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电荷耦合器件以及电荷耦合器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电荷耦合器件和电荷耦合器件的制备方法，本发明的电荷耦合器件包括：功能层；硅半导体层，所述硅半导体层位于所述功能层的表面；胶体量子点半导体层，位于所述硅半导体层远离所述功能层的一侧；所述胶体量子点半导体层具有短波红外吸收特性，用于吸收光子，并将其转换为电荷。本申请的电荷耦合器件利用胶体量子点半导体层吸收特定波段的红外光线，能够实现较传统硅基电荷耦合器件更高的光谱探测范围。
本发明授权一种电荷耦合器件以及电荷耦合器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电荷耦合器件，其特征在于，包括： 功能层； 硅半导体层，所述硅半导体层位于所述功能层的表面； 胶体量子点半导体层，位于所述硅半导体层远离所述功能层的一侧；所述胶体量子点半导体层具有短波红外吸收特性，用于吸收光子，并将其转换为电荷； 所述胶体量子点半导体层由金属氧化物薄膜、胶体量子点薄膜和透明导电薄膜构成； 其中，所述金属氧化物薄膜设置于所述胶体量子点薄膜的靠近所述硅半导体层的一侧，或者所述金属氧化物薄膜设置于所述胶体量子点薄膜的远离所述硅半导体层的一侧；所述透明导电薄膜设置于所述胶体量子点薄膜的上方；胶体量子点薄膜包括硒化铅量子点薄膜、碲化汞量子点薄膜中至少一种； 所述金属氧化物薄膜的材料为对可见光和近红外光吸收系数小于阈值的材料。
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