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龙图腾网获悉清华大学申请的专利一种近场电场定量测量方法及装置、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115575729B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211254462.7，技术领域涉及：G01R29/12；该发明授权一种近场电场定量测量方法及装置、电子设备和存储介质是由张政军;樊易航;王炜鹏设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种近场电场定量测量方法及装置、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了：本公开涉及一种近场电场定量测量方法及装置、电子设备和存储介质。所述方法，包括：获取第一入射电场和第一近场电场之间的第一线性关系；获取扫描近场光学显微镜的仪器常数；根据仪器常数和第一线性关系，得到待测样品上任一待测点的第一线性系数；根据入射到待测样品的实际入射电场和所述待测点的第一线性系数，得到所述实际入射电场下所述待测点的重构近场电场，作为所述待测点的近场电场定量测量结果。该过程将体现待测样品第一测量区域的入射电场和近场电场关系的第一线性关系，与体现针尖‑样品耦合对待测样品表面的近场电场的影响的仪器常数结合，实现了待测样品表面的近场电场的重构，提高了待测样品表面的近场电场的定量测量的准确度。

本发明授权一种近场电场定量测量方法及装置、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种近场电场定量测量方法，其特征在于，包括： 获取第一入射电场和第一近场电场之间的第一线性关系，所述第一近场电场由待测样品的第一测量区域基于所述第一入射电场产生； 获取扫描近场光学显微镜的仪器常数，所述仪器常数用于指示扫描近场光学显微镜对具备同一介电常数的待测样品的近场电场的实测值和模拟值之间的差异； 根据所述仪器常数和所述第一线性关系，得到待测样品上任一待测点的第一线性系数，所述第一线性系数用于指示第二入射电场和第二近场电场之间的倍数关系，所述第二近场电场由所述待测点基于所述第二入射电场产生； 根据入射到待测样品的实际入射电场和所述待测点的第一线性系数，得到所述实际入射电场下所述待测点的重构近场电场，作为所述待测点的近场电场定量测量结果； 在所述获取第一入射电场和第一近场电场之间的第一线性关系前，所述方法还包括： 以所述待测样品各图形的中心的连线构成的几何图形的中心点为中心，构建包含所述第一近场电场的最小区域，将所述最小区域所在的区域作为所述第一测量区域； 其中，所述第一测量区域不包含所述扫描近场光学显微镜的探针与所述待测样品的边缘发生耦合的区域； 所述扫描近场光学显微镜的扫描入射电场从样品的底部正入射。

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