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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利基于直写成型的高温铂薄膜温度传感器、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115574966B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211077486.X，技术领域涉及：G01K7/18；该发明授权基于直写成型的高温铂薄膜温度传感器、制备方法及应用是由海振银;孙道恒;曾英俊;陈国淳;陈沁楠;何功汉;武超;林帆;潘晓川;李劲;吴文杰;崔宇轩;崔灿设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于直写成型的高温铂薄膜温度传感器、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于直写成型的高温铂薄膜温度传感器、制备方法及应用，该传感器包括陶瓷基底、铂敏感栅、前驱体陶瓷保护层、焊点、引线和压块，铂敏感栅和前驱体陶瓷保护层依次通过韦森堡直写成型技术直写于陶瓷基底上，其中，用于直写前驱体陶瓷保护层的原料组分包括：45wt％～55wt％的SiCN前驱体陶瓷溶液、25wt％～35wt％的TiB22粉末、1.2wt％～2wt％Y22O33粉末及13.8wt％～23wt％的ZrO22粉末，前驱体陶瓷保护层覆盖在铂敏感栅上，引线设于压块与铂敏感栅之间，并通过焊点实现与铂敏感栅的电性连接。该传感器具有耐高温50℃至800℃、小扰动及高温稳定性好等优势，有望突破目前丝网印刷及磁控溅射工艺制备铂薄膜温度传感器所导致的成本高、材料单一及曲面共形困难等瓶颈问题。

本发明授权基于直写成型的高温铂薄膜温度传感器、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种基于直写成型的高温铂薄膜温度传感器，其特征在于，包括陶瓷基底、铂敏感栅、前驱体陶瓷保护层、焊点、引线和压块，所述铂敏感栅和所述前驱体陶瓷保护层依次通过韦森堡直写成型技术直写于所述陶瓷基底上，其中，用于直写所述前驱体陶瓷保护层的原料组分包括：45wt%～55wt%的SiCN前驱体陶瓷溶液、25wt%～35wt%的TiB2粉末、1.2wt%～2wt%Y2O3粉末及13.8wt%～23wt%的ZrO2粉末，所述前驱体陶瓷保护层覆盖在所述铂敏感栅上，所述引线设于所述压块与所述铂敏感栅之间，并通过所述焊点实现与所述铂敏感栅的电性连接，所述铂敏感栅设有四个引脚，所述引脚裸露在所述前驱体陶瓷保护层外部，所述焊点和所述引线分别设在每个所述引脚上，并通过所述压块与所述焊点将所述引线和所述引脚固连，所述铂敏感栅的厚度为3μm～5μm，所述前驱体陶瓷保护层的厚度为15μm～20μm；所述高温铂薄膜温度传感器的制备方法包括以下步骤： S1：对陶瓷基底进行清洗、干燥； S2：称取铂浆原料，加入2wt%～4wt%的浆料稀释剂，充分搅拌混合均匀得到可供直写的铂浆，采用韦森堡直写成型技术在步骤S1的陶瓷基底上表面直写铂敏感栅，直写针头内径为0.25mm～0.4mm，直写速度为0.15mms～0.3mms； S3：烧结步骤S2的铂敏感栅，烧结条件为：以5℃min～8℃min的升温速率由室温升温至150℃～180℃并保温10min～20min，继续升温至950℃～1000℃并保温20min～30min，之后以5℃min～8℃min的降温速率降温至室温，得到具有四个引脚的铂敏感栅； S4：将25wt%～35wt%的TiB2粉末、1.2wt%～2wt%Y2O3粉末及13.8wt%～23wt%的ZrO2粉末加入45wt%～55wt%的SiCN前驱体陶瓷溶液中，进行磁力搅拌，转速50rmin～100rmin，时间1h～1.5h，得到可供直写的前驱体陶瓷保护层复合溶液；采用韦森堡直写成型技术在步骤S3的铂敏感栅上表面直写前驱体陶瓷保护层，并裸露出铂敏感栅的四个引脚，直写针头内径为0.25mm～0.4mm，直写速度为0.15mms～0.3mms； S5：热解步骤S4的前驱体陶瓷保护层，热解条件为：以4℃min～5℃min的升温速率由室温升温至450℃～480℃，并保温1h～1.5h，继续升温至800℃～850℃并保温1h～1.5h，之后以4℃min～5℃min的降温速率降温至室温； S6：将50wt%～65wt%的TiB2粉末加入35wt%～50wt%的SiCN前驱体陶瓷溶液中，进行磁力搅拌，转速50rmin～100rmin，时间1h～1.5h，得到焊点复合溶液，在铂敏感栅的四个引脚上表面分别涂覆焊点； S7：将四条引线分别插入四个压块的开槽内，形成过盈配合，将压块带有开槽的一侧与步骤S6的焊点固连； S8：热解步骤S7的焊点，热解条件为：以4℃min～5℃min的升温速率由室温升温至800℃～850℃，之后以4℃min～5℃min的降温速率降温至室温，使得步骤S7的四条引线通过焊点与铂敏感栅电性连接。

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