西安电子科技大学何云龙获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种增强型氧化镓基功率晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565883B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211102664.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种增强型氧化镓基功率晶体管及其制作方法是由何云龙;马晓华;陆小力;李园;郑雪峰;郝跃设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增强型氧化镓基功率晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强型氧化镓基功率晶体管及其制作方法，该方法包括：提供Fe掺杂的β‑Ga22O33衬底；在衬底的表面依次生长β‑Ga22O33UID层、β‑Ga22O33沟道层和β‑Ga22O33欧姆接触层，β‑Ga22O33沟道层的掺杂浓度低于β‑Ga22O33欧姆接触层的掺杂浓度；刻蚀欧姆区域之外的β‑Ga22O33欧姆接触层，并在β‑Ga22O33欧姆接触层上表面的欧姆区域沉积金属后，形成源电极和漏电极；在β‑Ga22O33沟道层的上表面旋涂硼B掺杂的SOG介质层，并在SOG介质层上表面的栅极区域沉积金属后，制作形成栅电极。本发明通过在β‑Ga22O33沟道层上表面的栅极区域旋涂B掺杂的SOG介质层作为P型层，可以有效耗尽栅极下方的沟道电子，使得晶体管的阈值电压正移，进而形成增强型器件。
本发明授权一种增强型氧化镓基功率晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型氧化镓基功率晶体管的制作方法，其特征在于，包括： 提供Fe掺杂的β-Ga2O3衬底； 在所述衬底的一侧表面依次生长β-Ga2O3UID层、β-Ga2O3沟道层和β-Ga2O3欧姆接触层，所述β-Ga2O3沟道层的掺杂浓度低于所述β-Ga2O3欧姆接触层的掺杂浓度； 刻蚀欧姆区域之外的β-Ga2O3欧姆接触层，并在所述β-Ga2O3欧姆接触层远离衬底一侧的欧姆区域沉积金属后，形成源电极和漏电极； 在β-Ga2O3沟道层远离衬底的一侧表面旋涂B掺杂的SOG介质层，并在SOG介质层远离衬底一侧的栅极区域沉积金属后，制作形成栅电极； 所述B掺杂的SOG介质层作为P型层。
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