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龙图腾网获悉思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司申请的专利带隙基准电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115562422B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211339737.7，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权带隙基准电路及芯片是由董晨洁;张力;弋敏;张睿设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本带隙基准电路及芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带隙基准电路，包括：第一MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管组、第二三极管组以及运算放大器；运算放大器包括：第三三极管组、第四三极管组、电流镜单元、限流单元。根据本发明实施例的带隙基准电路，通过将第三三极管和第四三极管的个数比配置为1：mm≥2以形成非对称输入差分对管，产生系统失调电压，从而降低了PTAT电压被放大的倍数，减小了带隙基准电路输出基准电压的噪声以及失调电压。

本发明授权带隙基准电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：第一MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管组、第二三极管组以及运算放大器； 所述第一三极管组包括一个第一三极管或多个相互并联的第一三极管，所述第二三极管组包括多个相互并联的第二三极管，所述第一三极管和第二三极管的个数比为1：n，n≥2； 所述第一三极管的基极与集电极相连并同时与第一电阻的第一端以及运算放大器的第一输入端相连，所述第二三极管的基极与集电极相连并与第三电阻的第一端相连，所述第一三极管和第二三极管的发射极与地电压相连，所述第三电阻的第二端与运算放大器的第二输入端以及第二电阻的第一端相连，所述运算放大器的输出端与第一MOS管的栅极相连，所述第一MOS管的源极与电源电压相连，所述第一电阻的第二端、第二电阻的第二端与第一MOS管的漏极相连以输出基准电压； 所述运算放大器包括：第三三极管组、第四三极管组、电流镜单元、限流单元； 所述第三三极管组包括一个第三三极管或多个相互并联的第三三极管，所述第四三极管组包括多个相互并联的第四三极管，所述第三三极管和第四三极管的个数比为1：m，m≥2； 所述第三三极管和第四三极管的发射极与限流单元相连，所述第三三极管和第四三极管的集电极与电流镜单元相连，所述第三三极管和第四三极管的基极分别为运算放大器的第一输入端和第二输入端； ，其中，R1、R2、R3分别为第一电阻、第二电阻、第三电阻的阻值； 所述基准电压=VBE2+×lnn+×lnm×k1+1，其中k1=R2R3，R2为第二电阻的阻值，R3为第三电阻的阻值，VBE2为第二三极管的基极与发射极之间的电压，表示热电压； 所述限流单元包括限流电阻，所述限流电阻的第一端与第三三极管和第四三极管的发射极相连，所述限流电阻的第二端与地电压相连，所述限流电阻的阻值，其中，表示热电压，I1表示第一电阻上的电流，I2表示第三三极管组的漏极总电流或第四三极管组的漏极总电流。

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