武汉新芯集成电路制造有限公司罗旖旎获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利存储器件失效测试结构及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527599B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211166898.0，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权存储器件失效测试结构及测试方法是由罗旖旎设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件失效测试结构及测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器件失效测试结构及测试方法，提供的存储器件失效测试结构包括：存储器件，包含若干存储单元，每个所述存储单元均包含字线和位线；第一焊盘，与所有的所述存储单元中的字线电连接；第二焊盘，与所有的所述存储单元中的位线电连接；通过将所有的所述存储单元置于‘0’状态；于所述第一焊盘施加负电压且于所述第二焊盘施加第一正电压，以同时对所有的所述存储单元进行应力测试；同时对所有的所述存储单元进行读操作，并根据读取的第一漏电流判断所述存储器件中是否存在缺陷，使得能够在工艺过程中提前发现工艺的恶化倾向，及时对工艺异常进行改善，避免导致批量产品存在可靠性风险。
本发明授权存储器件失效测试结构及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件失效测试方法，其特征在于，包括： 提供存储器件失效测试结构，所述存储器件失效测试结构包括存储器件、第一焊盘和第二焊盘，所述存储器件包含若干存储单元，每个所述存储单元均包含字线和位线，所述第一焊盘与所有的所述存储单元中的字线电连接，所述第二焊盘与所有的所述存储单元中的位线电连接； 将所有的所述存储单元置于‘0’状态； 于所述第一焊盘施加负电压且于所述第二焊盘施加第一正电压，以同时对所有的所述存储单元进行应力测试； 同时对所有的所述存储单元进行读操作，并根据读取的第一漏电流判断所述存储器件中是否存在缺陷。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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