昆山国显光电有限公司杨梅获国家专利权
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龙图腾网获悉昆山国显光电有限公司申请的专利一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115425070B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211144847.8,技术领域涉及:H10D64/23;该发明授权一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和电子设备是由杨梅设计研发完成,并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和电子设备在说明书摘要公布了:本申请提供了一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和电子设备,氧化物薄膜晶体管包括:氧化物有源层、刻蚀阻挡层、接触层、源极和漏极;其中,刻蚀阻挡层位于氧化物有源层与接触层之间,刻蚀阻挡层包括多个开口,开口暴露出氧化物有源层;接触层填充开口,以与氧化物有源层接触;源极和漏极通过接触层与氧化物有源层电连接;接触层与氧化物有源层的材料均为铟镓锌氧化物,且在接触层中,铟的原子数量高于镓的原子数量。如此,有效降低了源极和漏极与氧化物有源层之间的接触电阻,优化了其接触特性,提高了其电子迁移率,进一步提升了氧化物薄膜晶体管的性能。
本发明授权一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和电子设备在权利要求书中公布了:1.一种氧化物薄膜晶体管,其特征在于,包括:氧化物有源层、刻蚀阻挡层、接触层、源极和漏极;其中, 所述刻蚀阻挡层位于所述氧化物有源层与所述接触层之间,所述刻蚀阻挡层包括多个开口,所述开口暴露出所述氧化物有源层; 所述接触层填充所述开口,以与所述氧化物有源层接触; 所述源极和所述漏极通过所述接触层与所述氧化物有源层电连接; 所述接触层与所述氧化物有源层的材料均为铟镓锌氧化物,且在所述接触层中,铟的原子数量高于镓的原子数量; 在所述接触层中,铟的原子数量高于锌的原子数量; 在所述接触层中,镓的原子数量低于锌的原子数量; 所述氧化物有源层中,铟镓锌的原子数量比为:In:Ga:Zn=1:1:1。
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