上海华虹宏力半导体制造有限公司李伟叶获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利外延工艺的模拟方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115408971B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211203201.2,技术领域涉及:G06F30/347;该发明授权外延工艺的模拟方法是由李伟叶;侯翔宇;杨继业;李昊;陆怡;康志潇;张博;刑军军设计研发完成,并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延工艺的模拟方法在说明书摘要公布了:一种外延工艺的模拟方法,包括:获取待模拟外延工艺,所述待模拟外延工艺包括若干待模拟外延阶段,各待模拟外延阶段具有对应的初始外延时间速率关系模型;获取若干组外延工艺参数,各外延工艺参数包括外延速率和外延时间;根据至少一组外延工艺参数中的外延速率和外延时间对任一所述待模拟外延阶段的初始外延时间速率关系模型进行拟合,获取所述待模拟外延阶段对应的参考外延时间速率关系模型;根据所述若干待模拟外延阶段对应的参考外延时间速率关系模型,获取所述待模拟外延工艺的模拟外延填充量。所述外延工艺的模拟方法改善了深沟槽填充工艺的调整方式,简化了填充工艺的调整步骤,缩短了工艺调整时间,提升了工艺调整效率。
本发明授权外延工艺的模拟方法在权利要求书中公布了:1.一种外延工艺的模拟方法,其特征在于,包括: 获取待模拟外延工艺,所述待模拟外延工艺包括若干待模拟外延阶段,各待模拟外延阶段具有对应的初始外延时间速率关系模型; 获取若干组外延工艺参数,各外延工艺参数包括外延速率和外延时间; 根据至少一组外延工艺参数中的外延速率和外延时间对任一所述待模拟外延阶段的初始外延时间速率关系模型进行拟合,获取所述待模拟外延阶段对应的参考外延时间速率关系模型; 根据所述若干待模拟外延阶段对应的参考外延时间速率关系模型,获取所述待模拟外延工艺的模拟外延填充量。
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