上海唐锋能源科技有限公司朱凤鹃获国家专利权
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龙图腾网获悉上海唐锋能源科技有限公司申请的专利一种单边框膜电极结构的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332560B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211013186.5，技术领域涉及：H01M8/0273；该发明授权一种单边框膜电极结构的封装方法是由朱凤鹃;王昭晖;陈伟;陶亮亮;王一鑫设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单边框膜电极结构的封装方法在说明书摘要公布了：本发明属于膜电极技术领域，具体涉及一种单边框电极结构的封装方法，所述封装结构包括：CCM位于单边框上表面，且CCM上表面连接有阳极气体扩散层，单边框下表面连接有阴极气体扩散层，并提供了具体的封装方法。本发明解决了现有封装工艺的缺陷，利用单边框结构简略工艺，无需边框压合工序，大大降低了边框气泡和褶皱的产生。
本发明授权一种单边框膜电极结构的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种单边框膜电极结构的封装方法，其特征在于：所述方法包括： 步骤1，利用质子交换膜、阳极催化剂层和阴极催化层制备CCM；使用模具压制出单层边框；裁剪出阴极气体扩散层和阳极气体扩散层； 步骤2，在单层边框顶面的中心通孔的边缘涂覆粘接剂或粘贴胶条，然后将CCM粘接在边框上； 步骤3，在边框上的CCM边缘涂覆粘接剂或粘贴胶条，且粘接剂或粘贴胶条均覆盖CCM边缘； 步骤4，在阴极气体扩散层和阳极气体扩散层边缘均涂覆粘接剂或粘贴胶条；然后按照阳极气体扩散层、CCM、边框和阴极气体扩散层的顺序热压在一起，得到单边框电极结构； 封装结构包括：CCM位于单边框上表面，且CCM上表面连接有阳极气体扩散层，单边框下表面连接有阴极气体扩散层，CCM与阴极扩散层间存在缝隙，且该缝隙与单边框厚度一致；所述CCM由亲水性催化层和改性全氟磺酸质子交换膜组成而成，即，将亲水性催化浆料转移至改性全氟磺酸质子交换膜两侧，形成CCM； 所述改性全氟磺酸质子交换膜采用二氧化硅改性全氟磺酸质子交换膜； 所述热压的温度为120-150℃，压力为0.1-2MPa，时间为0.1-5min。
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