日东电工株式会社鸦田泰介获国家专利权
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龙图腾网获悉日东电工株式会社申请的专利透明导电性薄膜的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115298756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180021682.2，技术领域涉及：H01B5/14；该发明授权透明导电性薄膜的制造方法是由鸦田泰介;藤野望;鹰尾宽行设计研发完成，并于2021-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本透明导电性薄膜的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的透明导电性薄膜的制造方法包括：准备工序，其准备透明基材10；以及成膜工序，其利用溅射法将透光性导电材料成膜在透明基材10上，形成非晶质的透光性导电层20。在成膜工序的溅射法中，使用包含原子序数比氩大的稀有气体的溅射气体，并且，在成膜气压为0.04Pa以上且0.9Pa以下的条件下，对透光性导电材料进行成膜。
本发明授权透明导电性薄膜的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种透明导电性薄膜的制造方法，其包括： 准备工序，其准备透明基材；以及 成膜工序，其利用溅射法将透光性导电材料成膜在所述透明基材上，形成电阻率为4.5×10-4Ω·cm以上且12×10-4Ω·cm以下的非晶质的透光性导电层， 在所述成膜工序的所述溅射法中，使用包含原子序数比氩大的稀有气体的溅射气体、和反应性气体，并且，在反应性气体的比例为15流量％以下且成膜气压为0.04Pa以上且0.9Pa以下的条件下，对所述透光性导电材料进行成膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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