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龙图腾网获悉无锡新洁能股份有限公司;国硅集成电路技术(无锡)有限公司申请的专利一种横向功率MOSFET器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188806B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210830246.6，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权一种横向功率MOSFET器件及其制造方法是由朱袁正;杨卓;黄薛佺;张允武;陆扬扬设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种横向功率MOSFET器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种横向功率MOSFET器件及其制造方法。本发明在第一导电类型衬底上方设有第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层内设有纵向沟槽，纵向沟槽内设有第一栅极和第二栅极，在第一导电类型外延层表面设有第二导电类型体区，第二导电类型体区中设有第一导电类型源极和第二导电类型源极，第一导电类型源极和纵向沟槽相接，在纵向沟槽水平延伸的方向上，第二导电类型体区中还设有与纵向沟槽相邻的第一导电类型漏极。本发明提供的横向功率MOSFET器件及其制造方法和传统SGTMOSFET器件的制造方法兼容，使用一套工艺流程就能同时兼顾横向功率MOSFET器件和SGTMOSFET器件，提高了工艺的泛用性并降低了制造成本。

本发明授权一种横向功率MOSFET器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种横向功率MOSFET器件的制作方法，基于一种横向功率MOSFET器件，其特征在于，横向功率MOSFET器件包括衬底金属，在所述衬底金属上设有第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层，在所述第一导电类型外延层中设有由二氧化硅绝缘材质组成的纵向沟槽，所述纵向沟槽内还设有由多晶硅材质组成的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极位于纵向沟槽上部，所述第二栅极位于纵向沟槽下部，所述第一栅极和第二栅极之间有二氧化硅隔离，所述第一导电类型外延层表面还设有第二导电类型体区； 其特征在于，在所述第二导电类型体区表面还设有重掺杂的第一导电类型源极和第二导电类型源极，所述重掺杂的第一导电类型源极一侧与所述纵向沟槽相接，所述重掺杂的第一导电类型源极另一侧与所述重掺杂的第二导电类型源极相接，在纵向沟槽水平延伸的方向上，在所述第一导电类型外延层表面还设有第一导电类型漏极，所述第一导电类型漏极与所述纵向沟槽相接； 所述第一导电类型外延层和纵向沟槽表面还设有绝缘介质，所述绝缘介质表面还设有源极金属和漏极金属； 所述源极金属穿过绝缘介质和重掺杂的第一导电类型源极和第二导电类型源极相连，所述漏极金属穿过绝缘介质和重掺杂的第一导电类型漏极相连； 所述第一栅极的深度小于所述第二导电类型体区的深度； 所述第一栅极的深度大于所述重掺杂的第一导电类型源极和重掺杂的第一导电类型漏极深度； 在所述第一导电类型外延层和所述纵向沟槽表面还设有平面栅，所述平面栅由栅氧化层和栅极多晶硅构成，所述栅极多晶硅在栅极氧化层上方，所述平面栅在纵向沟槽水平延伸的方向上分别终止于第一导电类型源极表面和第一导电类型漏极表面，所述平面栅在垂直于纵向沟槽的方向上分别终止于两侧的第二导电类型源极表面； 制作方法包括如下步骤： 步骤一：选取第一导电类型衬底材料并在其表面外延生长第一导电类型外延层； 步骤二：利用掩膜窗口，在所述第一导电类型外延层的上表面选择性刻蚀出纵向沟槽； 步骤三：在纵向沟槽内生长由二氧化硅材质组成的氧化层，再在纵向沟槽内填充多晶硅至第一导电类型外延层表面； 步骤四：将所述第一导电类型外延层表面的多晶硅去除，进一步刻蚀纵向沟槽内的多晶硅形成第二栅极，再在纵向沟槽内进行氧化层的淀积至第一导电类型外延层表面； 步骤五：刻蚀纵向沟槽内的氧化层，再在所述纵向沟槽内进行栅极氧化层的生长形成第一栅极的栅极氧化层； 步骤六：在所述纵向沟槽内再次填充多晶硅至第一导电类型外延层表面，形成第一栅极，并将多余的多晶硅去除； 步骤七：在所述第一导电类型外延层表面注入第二导电类型离子，经高温退火形成第二导电类型体区，利用掩膜窗口，在第二导电类型体区表面分别注入高浓度的第一导电类型离子和第二导电类型离子，经高温退火后，形成重掺杂的第一导电类型源极、第一导电类型漏极和第二导电类型源极； 步骤八：在所述第一导电类型外延层表面和所述纵向沟槽表面淀积绝缘介质，然后在绝缘介质上选择性刻蚀出通孔，接着淀积金属并选择性刻蚀金属，形成源极金属、栅极金属和漏极金属，在第一导电类型衬底下方淀积金属形成衬底金属。

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