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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、以及晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188798B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110372860.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法、以及晶体管是由金吉松设计研发完成，并于2021-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法、以及晶体管在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法、以及晶体管，半导体结构包括：沟道结构层，位于凸起部上且与凸起部间隔设置，沟道结构层包括一个或多个间隔设置的沟道层；隔离结构，位于半导体基底上且围绕凸起部，隔离结构顶面高于凸起部顶面且低于沟道结构层底面，隔离结构与凸起部围成底部沟槽且底部沟槽位于沟道结构层下方；栅极结构，横跨沟道结构层且包围沟道层且填充底部沟槽；栅极结构包括包围沟道层表面及位于底部沟槽底部和侧壁的栅介质层以及位于栅介质层上的栅电极层；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧且与沟道结构层的端部相接触。本发明实施例通过底部沟槽的设置，使栅介质层位于底部沟槽的侧壁与底部，有利于减小器件的漏电流，优化半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法、以及晶体管在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体基底，所述半导体基底上有若干分立的凸起部； 沟道结构层，位于所述凸起部上方且与所述凸起部间隔设置，所述沟道结构层包括一个或多个依次间隔设置的沟道层； 隔离结构，位于所述半导体基底上且围绕所述凸起部，所述隔离结构的顶面高于所述凸起部的顶面且低于所述沟道结构层的底面； 底部沟槽，由所述隔离结构与所述凸起部围成，且所述底部沟槽位于所述沟道结构层下方；其中，沿垂直于所述沟道层的延伸方向，所述底部沟槽的侧壁相对于所述沟道层同一侧的侧壁缩进； 栅极结构，位于所述隔离结构及所述凸起部上，所述栅极结构横跨所述沟道结构层且包围所述沟道层且填充所述底部沟槽；所述栅极结构包括包围于所述沟道层表面及位于所述底部沟槽的底部和侧壁的栅介质层，以及位于所述栅介质层上的栅电极层； 栅极侧墙，位于所述栅极结构两侧且暴露出所述沟道结构层延伸方向的端部； 源漏掺杂层，位于所述栅极结构和栅极侧墙两侧的凸起部上且与所述沟道结构层的所述端部相接触；其中，所述源漏掺杂层与所述凸起部相接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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