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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司;浙江晶科能源有限公司申请的专利太阳能电池的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148586B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210861880.6，技术领域涉及：H10P34/42；该发明授权太阳能电池的制作方法是由于琨;刘长明;张昕宇;赵朋松;高贝贝;黄纪德设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：建立激光掺杂所用功率与扩散片样本的数据库，数据库包括在方阻均匀性最优时对应的最优功率；取待制作太阳能电池的硅片；在硅片的表面沉积掺杂源，得到扩散片；测量扩散片不同位置的第二方阻值，测量扩散片的第二反射率值；从数据库中查找计算与第二方阻值与第二反射率值对应的最优功率；根据最优功率进行激光掺杂。本发明中根据第二反射率值反应扩散片的厚度，根据第二方阻值反应扩散片中掺杂源的总量，根据扩散片的厚度以及掺杂源的总量的不同采用不同功率的激光进行掺杂，制备的太阳能电池的激光掺杂效果更优。

本发明授权太阳能电池的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括： 建立激光掺杂所用功率与扩散片样本的数据库，所述数据库包括在方阻均匀性最优时对应的最优功率；所述方阻均匀性小于3.5％； 取待制作太阳能电池的硅片； 在所述硅片的表面沉积掺杂源，得到扩散片； 测量所述扩散片不同位置的第二方阻值，测量所述扩散片的第二反射率值； 从所述数据库中查找计算与所述第二方阻值与所述第二反射率值对应的最优功率； 根据所述最优功率进行激光掺杂； 所述建立激光掺杂所用功率与扩散片样本的数据库，包括： 获取硅片样本，在所述硅片样本的表面沉积掺杂源，得到扩散片样本； 检测所述扩散片样本中不同位置的多个第一方阻值； 检测所述扩散片样本中不同位置的多个第一反射率值，所述第一反射率值与所述扩散片样本的厚度呈负相关； 根据所述第一方阻值和所述第一反射率值确定激光掺杂所用的第一功率； 根据多个所述第一功率进行激光掺杂，得到掺杂样本； 对所述掺杂样本进行方阻均匀性测试，在所述方阻均匀性最优时对应的第一功率为最优功率，得到所述数据库； 第一方阻值升高5Ω，第一功率增加1％；第一方阻值降低5Ω，第一功率降低1％； 第一反射率值增加0.5％，第一功率降低1％。

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