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意法半导体股份有限公司B·马拉诺获国家专利权

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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利分段线性函数发生电子电路、对应的发生器、放大器、方法和计算机程序产品获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115133912B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210301839.3,技术领域涉及:H03K4/48;该发明授权分段线性函数发生电子电路、对应的发生器、放大器、方法和计算机程序产品是由B·马拉诺;M·基里科斯塔设计研发完成,并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

分段线性函数发生电子电路、对应的发生器、放大器、方法和计算机程序产品在说明书摘要公布了:本公开涉及一种分段线性函数发生电子电路、对应的发生器、放大器、方法和计算机程序产品。单元包括第一MOS晶体管对和第二MOS晶体管对。第一MOS晶体管对和第二MOS晶体管对中的每个MOS晶体管具有被耦合到相应的公共输入节点的漏极。第一MOS晶体管对和第二MOS晶体管对中的每个MOS晶体管包括二极管接法MOS晶体管和锁存MOS晶体管。第一MOS晶体管对和第二MOS晶体管对的锁存MOS晶体管具有交叉耦合的栅极和漏极。来自第一MOS晶体管对和第二MOS晶体管对的二极管接法MOS晶体管的源极被耦合到第一电流输出公共节点以将电流输出到第一电流收集电路。第一MOS晶体管对和第二MOS晶体管对的锁存MOS晶体管的源极被耦合到第二电流输出公共节点以将电流输出到第二电流收集电路。

本发明授权分段线性函数发生电子电路、对应的发生器、放大器、方法和计算机程序产品在权利要求书中公布了:1.一种用于生成分段线性电流传递函数的电路,包括: 锁存电路模块单元,包括第一晶体管对和第二晶体管对,所述第一晶体管对和所述第二晶体管对中的每个晶体管对具有被耦合到相应的公共输入节点的漏极; 第一电流供应电路,所述第一电流供应电路被配置为将第一电流供应到所述第一晶体管对的所述公共输入节点,其中所述第一电流是包括电流斜坡的可变电流; 第二电流供应电路,所述第二电流供应电路被配置为将第二电流供应到所述第二晶体管对的所述公共输入节点,其中所述第二电流是恒定参考电流; 其中所述第一晶体管对和所述第二晶体管对中的每个晶体管对包括二极管接法晶体管和锁存晶体管,其中所述第一晶体管对和所述第二晶体管对的所述锁存晶体管具有交叉耦合的栅极和漏极; 其中所述二极管接法晶体管的源极被耦合到第一电流输出公共节点,并且其中所述锁存晶体管的源极被耦合到第二电流输出公共节点。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体股份有限公司,其通讯地址为:意大利阿格拉布里安扎;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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