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龙图腾网获悉日立能源瑞士股份公司申请的专利反向导通功率半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115039233B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180012131.X，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权反向导通功率半导体器件及其制造方法是由T·维克斯特罗;U·维穆拉帕蒂设计研发完成，并于2021-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本反向导通功率半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种反向导通功率半导体器件，其中多个晶闸管单元50和续流二极管60集成在半导体晶片中。二极管阳极层32包括多个第一二极管阳极层段321，所述多个第一二极管阳极层段在与半导体晶片20的第二主侧22平行的平面上的正交投影中是条形的，每个第一二极管阳极层段321的纵向主轴MA在侧向方向上延伸离开半导体晶片20的侧向中心。每个第一二极管阳极层段321在垂直于其纵向主轴MA的方向上的第一侧向宽度w1在沿着纵向轴线的任何位置处至少为1000μm，或者至少为1200μm。该器件还包括多个条形局部寿命控制区91。二极管阴极层33包括多个条形二极管阴极层段331。在正交投影中，每个局部寿命控制区91和每个二极管阴极层段331分别布置在对应的第一二极管阳极层段321内。

本发明授权反向导通功率半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种反向导通功率半导体器件，包括： 半导体晶片20，所述半导体晶片具有第一主侧21和与所述第一主侧21相对的第二主侧22； 多个晶闸管单元50；以及 续流二极管60， 其中所述多个晶闸管单元50中的每一个按照从所述第一主侧21到所述第二主侧22的顺序包括： 第一导电类型的晶闸管阴极层51； 不同于所述第一导电类型的第二导电类型的基极层52，其中在所述基极层52和所述晶闸管阴极层51之间形成第一p-n结； 第一导电类型的漂移层53，所述漂移层与所述基极层52形成第二p-n结；以及 第二导电类型的晶闸管阳极层54，所述晶闸管阳极层通过所述漂移层53与所述基极层52分离， 其中每个晶闸管单元50还包括：栅电极55，所述栅电极相对于所述晶闸管阴极层51侧向布置并与所述基极层52形成欧姆接触；晶闸管阴极电极56，所述晶闸管阴极电极布置在所述第一主侧21上并与所述晶闸管阴极层51形成欧姆接触；以及晶闸管阳极电极57，所述晶闸管阳极电极布置在所述第二主侧22上并与所述晶闸管阳极层54形成欧姆接触， 其中所述续流二极管60包括： 在所述第一主侧21处的第二导电类型的二极管阳极层32，所述二极管阳极层与所述漂移层53形成第三p-n结，并且通过所述漂移层53与所述基极层52分离； 在所述第一主侧21上的二极管阳极电极31，所述二极管阳极电极电连接到所述二极管阳极层32； 在所述第二主侧22处的第一导电类型的二极管阴极层33，所述二极管阴极层电连接到所述漂移层53；以及 在所述第二主侧22上的二极管阴极电极36，所述二极管阴极电极与所述二极管阴极层33形成欧姆接触， 其中所述二极管阳极层32包括多个第一二极管阳极层段321，所述多个第一二极管阳极层段在与所述第二主侧22平行的平面上的正交投影中是条形的，每个第一二极管阳极层段321的纵向主轴MA在侧向方向上延伸离开所述半导体晶片20的侧向中心，其中侧向方向涉及平行于所述第二主侧22的方向， 其特征在于 每个第一二极管阳极层段321在平行于所述第二主侧22的平面中且在垂直于其纵向主轴MA的方向上的第一侧向宽度w1在沿着所述纵向轴线的任何位置处为至少1000µm，或者至少1200µm， 所述反向导通功率半导体器件包括包含辐射诱导复合中心的多个局部寿命控制区91， 每个局部寿命控制区91在与所述第二主侧22平行的平面上的正交投影中是条形的，并且在所述正交投影中布置在所述第一二极管阳极层段321中的相对应的一个内，使得每个局部寿命控制区91的纵向主轴沿着所述第一二极管阳极层段321中的相对应的一个的所述纵向主轴MA延伸， 每个局部寿命控制区91具有第二侧向宽度w2，所述第二侧向宽度比所述第一二极管阳极层段321中的所述相对应的一个的所述第一侧向宽度w1小至少200µm或至少300μm， 所述二极管阴极层33包括多个二极管阴极层段331， 每个二极管阴极层段331在与所述第二主侧22平行的所述平面上的所述正交投影中是条形的，并且在所述正交投影中布置在所述条形第一二极管阳极层段321中的相对应的一个内，使得每个二极管阴极层段331的纵向主轴沿着所述第一二极管阳极层段321中的相对应的一个的所述纵向主轴MA延伸，并且 每个二极管阴极层段331具有第三侧向宽度w3，所述第三侧向宽度比所述局部寿命控制区91中的相对应的一个的所述第二侧向宽度w2小至少200µm或至少300µm，其中所述局部寿命控制区91中的所述相对应的一个在与所述第二主侧22平行的平面上的所述正交投影中布置在所述第一二极管阳极层段321中的所述相对应的一个内。

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