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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利高段差半导体器件平坦化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975109B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110195142.8，技术领域涉及：H10P50/64；该发明授权高段差半导体器件平坦化方法是由康大沃;张月;杨涛;卢一泓;田光辉设计研发完成，并于2021-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本高段差半导体器件平坦化方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高段差半导体器件平坦化方法，包括：在具有高段差的第一材料膜层上形成第二材料膜层，所述第二材料膜层至少覆盖所述第一膜层材料的凹陷区域；采用具有高选择比的刻蚀工艺对所述第一材料膜层的凸起区域和所述第二材料膜层进行刻蚀，以使所述第一材料膜层和第二材料膜层处于同一平面；采用平坦化工艺对所述第一材料膜层和第二材料膜层进行处理，以去除全部的第二材料膜层并使第一材料膜层平坦化。本发明提供的技术方案，能够通过形成第二材料膜层以及刻蚀过程，使半导体器件在平坦化处理前处于接近平面的状态，避免半导体器件在平坦化过程中出现碟陷缺陷。

本发明授权高段差半导体器件平坦化方法在权利要求书中公布了：1.一种高段差半导体器件平坦化方法，其特征在于，包括： 在具有高段差的第一材料膜层上形成第二材料膜层，所述第二材料膜层至少覆盖所述第一材料膜层的凹陷区域； 采用具有高选择比的刻蚀工艺对所述第一材料膜层的凸起区域和所述第二材料膜层进行刻蚀，以使所述第一材料膜层和第二材料膜层处于同一平面； 采用平坦化工艺对所述第一材料膜层和第二材料膜层进行处理，以去除全部的第二材料膜层并使第一材料膜层平坦化；其中，在进行平坦化工艺时，对第一材料膜层和第二材料膜层进行等速率的去除，直至全部去除第二材料膜层并且第一材料膜层达到目标厚度即可； 其中，所述刻蚀工艺对所述第一材料膜层和所述第二材料膜层的选择比不小于50：1； 其中，所述第二材料膜层覆盖所述第一材料膜层的凸起区域和凹陷区域，所述凸起区域的第二材料膜层厚度小于所述凹陷区域的第二材料膜层厚度； 其中，采用具有高选择比的刻蚀工艺对所述第一材料膜层的凸起区域和所述第二材料膜层进行刻蚀包括： 刻蚀所述凸起区域的全部第二材料膜层和凹陷区域的部分第二材料膜层，以暴露凸起区域的第一材料膜层； 刻蚀部分第一材料膜层和凹陷区域的部分第二材料膜层，以使暴露的第一材料膜层与第二材料膜层处于同一平面。

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