广州华星光电半导体显示技术有限公司刘贺获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210491159.2，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及显示面板是由刘贺设计研发完成，并于2022-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本申请实施例提供的阵列基板及显示面板，该阵列基板包括：衬底基板、第一栅极层、第一有源层、第二有源层、第二栅极层以及源漏极层；第一栅极层设于衬底基板上；第一有源层设于第一栅极层远离衬底基板的一侧；第二有源层设于第一有源层远离衬底基板的一侧；第二栅极层设于第二有源层远离衬底基板的一侧，第二栅极层、第二有源层、第一有源层以及第一栅极层之间绝缘设置；源漏极层包括源极和漏极，源极与第一有源层以及第二有源层电性连接；漏极与第一有源层以及第二有源层电性连接。该阵列基板能够提高薄膜晶体管器件的稳定性。
本发明授权阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底基板； 第一栅极层，设于所述衬底基板上； 第一有源层，设于所述第一栅极层远离所述衬底基板的一侧； 第二有源层，设于所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧； 第二栅极层，设于所述第二有源层远离所述衬底基板的一侧，所述第二栅极层、所述第二有源层、所述第一有源层以及所述第一栅极层之间绝缘设置；以及 源漏极层，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极与所述第一有源层以及所述第二有源层电性连接；所述漏极与所述第一有源层以及所述第二有源层电性连接； 所述源极和所述漏极均包括第一连接部、第二连接部以及第三连接部，所述第一连接部位于所述第一有源层与所述第二有源层之间，所述第二连接部与所述第二有源层同层设置，所述第三连接部位于所述第二连接部远离所述第一连接部的一侧； 所述第三连接部的横截面宽度大于所述第一连接部的横截面宽度，所述第一连接部的横截面宽度大于所述第二连接部的横截面宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：510700 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之417；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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