北京华碳元芯电子科技有限责任公司许海涛获国家专利权
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龙图腾网获悉北京华碳元芯电子科技有限责任公司申请的专利一种晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210535292.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种晶体管是由许海涛设计研发完成，并于2020-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体管。该晶体管包括：低维材料层，所述低维材料层位于所述衬底上；源极、漏极以及栅极，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极的两侧，所述栅极以及所述低维材料层之间间隔有栅介质层，所述源极和所述栅极之间，所述漏极和所述栅极之间均具有侧墙，所述侧墙中具有固定电荷或者偶极子。该晶体管利用侧墙中具有的固定电荷或者偶极子对侧墙区的沟道材料进行静电掺杂。
本发明授权一种晶体管在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，包括： 基底和设置在所述基底上方的低维材料层； 多个侧墙，所述侧墙设置在所述低维材料层远离所述基底的一侧，且多个所述侧墙间隔设置，所述侧墙由两种材料构成，其中靠近所述低维材料层的部分由具有固定电荷的材料构成，远离所述低维材料层的部分由低介电常数的材料构成；所述侧墙的一部分位于所述低维材料层和所述基底之间，所述侧墙的另一部分位于所述低维材料层远离所述基底的一侧；所述低维材料层包括多个亚层，相邻两个所述亚层之间被部分所述侧墙、部分源极、部分漏极和部分栅极结构填充，其中，填充的栅极结构包括环绕低维材料层的栅介质层和环绕栅介质层的栅金属层，可实现低维材料层垂直堆叠的结构；在所述基底和所述低维材料层之间形成保护材料层； 源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述低维材料层远离所述基底的一侧； 栅极结构，所述栅极结构设置在所述低维材料层远离所述基底的一侧，所述栅极结构位于所述源极和所述漏极之间，所述栅极结构、所述源极和所述漏极均被所述侧墙间隔开，且所述栅极结构、所述源极和所述漏极均与所述侧墙相接触。
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