格科微电子(上海)有限公司杨瑞坤获国家专利权
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龙图腾网获悉格科微电子(上海)有限公司申请的专利半导体工艺中对准标记的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823450B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110107418.2，技术领域涉及：H10P72/50；该发明授权半导体工艺中对准标记的形成方法是由杨瑞坤设计研发完成，并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺中对准标记的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体工艺中对准标记的形成方法，通过在器件区域和对准区域同时刻蚀形成沟槽之后再在沟槽中填充外延层和或多晶硅层，在去除器件区域的硬掩模时，通过保护层光罩保留对准区域的硬掩模作为对准标记，能够避免外延之后的平坦化处理过程导致对准信号衰减或消失，由于对准标记保护层光罩对套准精度要求低，不会影响对准误差，提高了工艺可靠性。
本发明授权半导体工艺中对准标记的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺中对准标记的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底，定义器件区域和对准区域； 利用硬掩模分别于器件区域和对准区域同时刻蚀形成沟槽； 分别于器件区域和对准区域的沟槽中形成第一外延层和或多晶硅层； 去除器件区域的硬掩模，保留对准区域的硬掩模； 分别于器件区域和对准区域形成第二外延层，利用位于对准区域的第二外延层下方的硬掩模作为对准标记； 于器件区域形成半导体器件。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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