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桑迪士克科技有限责任公司A·普拉卡什获国家专利权

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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利基于对读取错误敏感性的存储器单元的刷新操作获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114730601B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080081577.3,技术领域涉及:G11C16/04;该发明授权基于对读取错误敏感性的存储器单元的刷新操作是由A·普拉卡什;袁家辉设计研发完成,并于2020-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

基于对读取错误敏感性的存储器单元的刷新操作在说明书摘要公布了:描述了用于基于块对读取错误的敏感性来周期性地刷新存储器单元的块中的字线电压的装置和技术。读取错误的一个来源是延迟读取干扰,该延迟读取干扰由存储器设备的空闲时段期间的低字线电压产生。在一个方面,基于诸如块中每单元位数和编程‑擦除P‑E循环数量等因素优化周期性刷新操作。例如,在高P‑E循环处,单电平单元SLC块的刷新电压的幅度可为0V或更低,而多电平单元MLC块的刷新电压的幅度可以是介于0V与通过电压之间的中间电压。

本发明授权基于对读取错误敏感性的存储器单元的刷新操作在权利要求书中公布了:1.一种刷新装置,包括: 一组存储器单元703-714,723-734,743-754,763-774,1500-1503,1510-1513,所述一组存储器单元布置在块BLK0-BLK3中的NAND串700,710n,720n,730n中; 一组字线WL0-WL95,1505,1515,所述一组字线连接到所述一组存储器单元;和 控制电路110,122,所述控制电路连接到所述一组字线,所述控制电路被配置为: 确定所述块中每个存储器单元存储的位数;以及 周期性地执行所述一组字线的刷新操作,所述执行所述刷新操作包括将电压信号1300,1310,1320施加到所述一组字线,所述电压信号具有基于所述块中的每个存储器单元存储的所述位数的幅度Vread,Vint,Vss,包括当所述存储器单元是单电平存储器单元时施加第一幅度的电压,以及当所述存储器单元是多电平存储器单元时施加大于所述第一幅度的第二幅度的电压;并且 其中相比于当每个存储器单元存储的所述位数指示所述存储器单元是多电平存储器单元时,当每个存储器单元存储的所述位数指示所述存储器单元是单电平存储器单元时所述电压信号的所述幅度更低。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人桑迪士克科技有限责任公司,其通讯地址为:美国德克萨斯州;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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