中国科学院上海微系统与信息技术研究所张波获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种NiGe/n-Ge肖特基二极管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678272B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210185094.9，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种NiGe/n-Ge肖特基二极管的制备方法是由张波;丁华俊;薛忠营;魏星设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种NiGe/n-Ge肖特基二极管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种NiGen‑Ge肖特基二极管的制备方法。该方法包括：将Ge片作为衬底，预处理；然后Ge片上长隔离层，光刻出图形，再经过一次光刻；依次蒸镀Al和Ni，然后去除不在图形内的金属；退火，再去除多余的Ni，蒸镀正反电极。该方法可以有效缓解费米能级钉扎效应，降低NiGen‑Ge肖特基势垒高度，并且使得NiGe在400℃到600℃保持热稳定性。
本发明授权一种NiGe/n-Ge肖特基二极管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种NiGe-Ge肖特基二极管的制备方法，包括： 1将Ge片作为衬底，预处理； 2在步骤1中预处理的Ge片上长隔离层，光刻出图形，再经过一次光刻；其中，所述隔离层为SiO2，SiO2厚度为90～110nm；长隔离层采用的方法为离子增强化学气相淀积； 3光刻后依次蒸镀Al和Ni，Al的厚度为0.8～1.1nm，Ni的厚度为8～12nm，然后去除不在图形内的金属； 4去除不在图形内的金属后退火，形成连续均匀的NiGe薄膜，且NiGe与Ge衬底的界面之间平整，再去除多余的Ni，蒸镀正反电极；其中，所述退火的工艺参数为：以N2为气氛，在300℃-600℃下退火25～35s。
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