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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267735B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010973931.5，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种半导体结构及其形成方法是由赵猛设计研发完成，并于2020-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区和第二区；在所述衬底上形成栅极层，部分所述栅极层位于所述第一区上，且另一部分所述栅极层还位于所述第二区上；在第一区内形成第一阱区；在第二区内形成第二阱区，所述第二阱区的导电类型与第一阱区的导电类型不同；以部分所述栅极层为掩膜，在所述第一阱区内掺杂第一掺杂离子形成第一掺杂区，所述第一掺杂区的导电类型与所述第一阱区的导电类型相同，所述第一掺杂区内的掺杂剂向第二区扩散形成横向的扩散梯度，不会产生沟道掺杂浓度不可控的情况，同时使源端势垒高度增加，有效抑制了势垒降低效应，提高器件的阈值电压，同时改善器件的击穿电压等性能。

本发明授权一种半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为LDMOS器件，包括： 衬底，所述衬底包括相邻的第一区和第二区； 位于所述衬底上的栅极层，部分所述栅极层位于所述第一区上，且另一部分所述栅极层还位于所述第二区上； 位于所述第一区内的第一阱区，所述第一阱区具有第二掺杂离子； 位于所述第二区内的第二阱区，所述第二阱区的导电类型与第一阱区的导电类型不同，所述第二阱区具有第三掺杂离子，且所述第一阱区和所述第二阱区以部分所述栅极层为掩膜形成，所述第二掺杂离子和所述第三掺杂离子被注入后，由于浓度扩散向所述栅极层下方扩散形成PN界面； 位于所述第一阱区内具有第一掺杂离子的第一掺杂区，所述第一掺杂区的导电类型与所述第一阱区的导电类型相同，所述第一掺杂区内的掺杂剂向所述第二阱区扩散形成横向的扩散梯度； 位于所述栅极层两侧的所述第一阱区内的源极和所述第二阱区内的漏极，所述源极和漏极的导电类型与所述第一阱区的导电类型相同，所述源极还位于所述第一掺杂区内。

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