上海华力微电子有限公司顾珍获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利快闪存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141866B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111433536.9，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权快闪存储器及其制备方法是由顾珍;张磊;陈昊瑜设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本快闪存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的快闪存储器及其制备方法，包括：衬底，所述衬底上具有沟槽和位于所述沟槽底部的源区；源线层，位于所述沟槽内中且向上延伸；金属浮栅结构，包括多晶硅层及两个金属浮栅层，两个所述金属浮栅层均位于所述沟槽内且分别位于所述源线层的两侧，且所述金属浮栅层的高度大于所述源线层的高度，所述多晶硅层包裹所述金属浮栅层高于所述源线层的部分的至少部分外表面；两个字线层，分别位于一个所述金属浮栅的外侧。所述金属浮栅层可以极大提升擦写效率，同时在金属浮栅层高于所述源线层的部分的至少部分外表面上包裹多晶硅层，降低金属浮栅结构整体的功函数和势垒，使擦写电压更低，进而提高擦写速度。
本发明授权快闪存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种快闪存储器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上具有沟槽和位于所述沟槽底部的源区； 源线层，位于所述沟槽内中且向上延伸； 金属浮栅结构，包括多晶硅层及两个金属浮栅层，两个所述金属浮栅层均位于所述沟槽内且分别位于所述源线层的两侧，且所述金属浮栅层的高度大于所述源线层的高度，所述多晶硅层包裹所述金属浮栅层高于所述源线层的部分的至少部分外表面； 两个字线层，分别位于一个所述金属浮栅的外侧。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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