意法半导体股份有限公司D·G·帕蒂获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有选择性禁用单元的集成MOS晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093944B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110880035.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权具有选择性禁用单元的集成MOS晶体管是由D·G·帕蒂设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有选择性禁用单元的集成MOS晶体管在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及具有选择性禁用单元的集成MOS晶体管。一种集成器件包括具有多个单元的至少一个MOS晶体管。在一个或多个单元中的每个单元中提供了禁用结构。禁用结构被配置为：当MOS晶体管响应于被包括在MOS晶体管的阈值电压与禁用结构的干预电压之间的控制电压而被接通时处于非传导状况，或者在其它情况下处于传导状况。还提出了包括至少一个上述集成器件的系统。此外，还提出了用于制造该集成器件的对应的工艺。
本发明授权具有选择性禁用单元的集成MOS晶体管在权利要求书中公布了：1.一种半导体集成器件，包括： 至少一个MOS晶体管，被集成在半导体材料的管芯上，所述MOS晶体管包括： 多个单元，所述多个单元中的每个单元包括： 源极区域； 导电材料的栅极元件；以及 电绝缘材料的栅极绝缘层，将所述栅极元件与所述管芯的所述半导体材料绝缘； 源极接触件，与所述源极区域耦合；以及 栅极接触件，与所述栅极元件耦合； 其中所述多个单元中的一个或多个选择的单元包括： 禁用结构，被插置在所述栅极元件的耦合的栅极部分与所述栅极元件的解耦的栅极部分之间，所述栅极元件的耦合的栅极部分与所述栅极接触件耦合，所述栅极元件的解耦的栅极部分与所述栅极接触件解耦，所述禁用结构具有高于所述MOS晶体管的阈值电压的干预电压， 其中所述禁用结构被配置为： 当所述MOS晶体管响应于被施加在所述栅极接触件与所述源极接触件之间的控制电压而被接通时，所述禁用结构处于非传导状况，所述控制电压在所述阈值电压与所述干预电压之间；或者 在其它情况下，所述禁用结构处于传导状况。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体股份有限公司，其通讯地址为：意大利阿格拉布里安扎；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励