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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951835B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011447002.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体器件是由辛承俊;金是完;崔凤贤设计研发完成，并于2020-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括下部结构、在下部结构上并从存储器单元区域延伸到连接区域中的堆叠结构、在堆叠结构上在连接区域中的栅极接触插塞、以及在存储器单元区域中穿过堆叠结构的存储器垂直结构，其中堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和水平层，其中，在连接区域中，堆叠结构包括阶梯区域和平坦区域，其中阶梯区域包括降低的垫，其中平坦区域包括平坦垫区域、平坦边缘区域以及在平坦垫区域与平坦边缘区域之间的平坦虚设区域，以及其中栅极接触插塞包括在垫上的第一栅极接触插塞、在平坦垫区域上的平坦接触插塞和在平坦边缘区域上的平坦边缘接触插塞。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 下部结构； 在所述下部结构上的堆叠结构，所述堆叠结构在存储器单元阵列区域中并延伸到连接区域中，并且所述堆叠结构包括在所述存储器单元阵列区域中交替地堆叠并延伸到所述连接区域中的层间绝缘层和水平层； 在所述堆叠结构上的上部绝缘层； 在所述连接区域中的栅极接触插塞；以及 在所述存储器单元阵列区域中贯穿所述堆叠结构的存储器垂直结构， 其中，在所述连接区域中，所述堆叠结构的第一截面结构包括第一栅极阶梯区域和与所述第一栅极阶梯区域相邻的第一栅极平坦区域， 其中所述第一栅极阶梯区域包括第一栅极垫，所述第一栅极垫在第一水平方向上以其间的第一高度降低，所述第一水平方向从所述存储器单元阵列区域朝向所述连接区域取向， 其中所述第一栅极平坦区域包括第一栅极平坦垫区域、第一栅极平坦边缘区域以及在所述第一栅极平坦垫区域与所述第一栅极平坦边缘区域之间的第一栅极平坦虚设区域，以及 其中所述栅极接触插塞包括在所述第一栅极垫上与所述第一栅极垫接触的第一栅极接触插塞、在所述第一栅极平坦垫区域上与所述第一栅极平坦垫区域接触的平坦接触插塞、以及在所述第一栅极平坦边缘区域上与所述第一栅极平坦边缘区域接触的边缘平坦接触插塞。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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