三星电子株式会社全炫水获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利传感器器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786633B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011161752.8，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权传感器器件是由全炫水设计研发完成，并于2020-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本传感器器件在说明书摘要公布了：一种传感器器件，其包括：包括第一通路和下部焊盘的中介件，下部焊盘在中介件的底表面上；在中介件的顶表面上的图像传感器芯片，图像传感器芯片包括逻辑芯片和在逻辑芯片上的感测芯片，逻辑芯片包括第一布线图案和第二通路，并且感测芯片包括第二布线图案；导电结构，其穿透逻辑芯片的一部分和感测芯片，导电结构连接到第一布线图案中的至少一个和第二布线图案中的至少一个；以及在导电结构的内表面上的钝化层，其中中介件的侧表面与图像传感器芯片的侧表面共面。
本发明授权传感器器件在权利要求书中公布了：1.一种传感器器件，包括： 包括第一通路和下部焊盘的中介件，所述下部焊盘在所述中介件的底表面上； 在所述中介件的顶表面上的图像传感器芯片，所述图像传感器芯片包括逻辑芯片和在所述逻辑芯片上的感测芯片，所述逻辑芯片包括第一布线图案和第二通路，所述感测芯片包括第二布线图案； 穿透所述逻辑芯片的一部分和所述感测芯片的导电结构，所述导电结构连接到所述第一布线图案中的至少一个和所述第二布线图案中的至少一个；以及 在所述导电结构的内表面上的钝化层， 其中所述中介件在第一方向上的厚度在50μm至300μm的范围内，所述第一方向垂直于所述中介件的所述底表面，以及 其中所述逻辑芯片沿所述第一方向设置在所述中介件与所述感测芯片之间， 其中所述第二通路与所述第一布线图案中的所述导电结构所连接到的第一布线图案接触， 其中所述导电结构插置在所述第一布线图案和所述钝化层之间， 其中所述导电结构具有由所述导电结构的所述内表面限定的凹陷， 其中所述凹陷填充有提供在所述导电结构的所述内表面上的所述钝化层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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