三星电子株式会社都桢湖获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利VFET标准单元架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111696981B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010174351.X，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权VFET标准单元架构是由都桢湖;R.森古普塔设计研发完成，并于2020-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本VFET标准单元架构在说明书摘要公布了：提供了一种用于垂直场效应晶体管VFET的单元架构。该单元架构包括：顶源极漏极SD接触结构，在俯视图中具有正方形形状；水平金属图案，形成在顶SD接触结构上并在第一方向上延伸；以及垂直金属图案，发送出由VFET形成的逻辑电路的输出信号。该单元架构还包括形成在将VFET的栅极连接的栅极连接图案上的栅极接触结构，其中超级通路形成在栅极接触结构上以接收逻辑电路的输入信号。
本发明授权VFET标准单元架构在权利要求书中公布了：1.一种单元架构，包括： 多个垂直场效应晶体管VFET，形成在衬底上以构成逻辑电路； 第一顶源极漏极SD接触结构，形成在第一VFET的第一顶SD区上，并且连接到形成在其上并在所述单元架构的第一方向上延伸的第一水平金属图案，以将所述逻辑电路的从所述第一顶SD区输出的输出信号连接到第一垂直金属图案； 第二顶SD接触结构，形成在第二VFET的第二顶SD区上，并且连接到形成在其上并在所述第一方向上延伸的第二水平金属图案，以将所述逻辑电路的从所述第二顶SD区输出的所述输出信号连接到所述第一垂直金属图案；以及 栅极接触结构，形成在连接到所述第一VFET和所述第二VFET的相应栅极的栅极连接图案上，所述栅极接触结构通过超级通路连接到所述逻辑电路的栅极输入信号， 其中所述第一VFET和所述第二VFET沿着在所述单元架构的第二方向上延伸的第一鳍结构形成， 其中所述第一顶SD接触结构和所述第二顶SD接触结构两者在所述单元架构的俯视图中具有正方形形状，以及 其中所述第一垂直金属图案形成在比所述第一水平金属图案和所述第二水平金属图案更高的水平处，所述第一水平金属图案和所述第二水平金属图案形成在比所述第一顶SD接触结构和所述第二顶SD接触结构更高的水平处。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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