东泰高科装备科技有限公司罗轶获国家专利权
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龙图腾网获悉东泰高科装备科技有限公司申请的专利一种砷化镓电池外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111211177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811400742.8，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种砷化镓电池外延结构及其制备方法是由罗轶;张新勇;李琳琳设计研发完成，并于2018-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种砷化镓电池外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种砷化镓电池外延结构及其制备方法。该砷化镓电池外延结构包括衬底和设置在衬底上的牺牲层和电池层，沿远离衬底的方向，牺牲层和电池层依次叠置，牺牲层能通过湿法腐蚀辅助衬底与电池层分离，牺牲层从边缘区域向中心区域厚度逐渐降低。该砷化镓电池外延结构牺牲层结构设计，在湿法腐蚀剥离衬底的过程中，有助于腐蚀液对牺牲层的边缘区域进行腐蚀之后向其中心区域流动，从而能加快牺牲层的整体腐蚀速率，同时，使牺牲层的边缘区域被腐蚀液腐蚀掉之后，还能在一定程度上相对降低电池层的弯曲程度，从而在一定程度上降低了弯曲的电池层与衬底形成闭合的可能性，有助于腐蚀液对牺牲层的中间区域进行快速腐蚀，进而提高了衬底的剥离效率。
本发明授权一种砷化镓电池外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种砷化镓电池外延结构，包括衬底和设置在所述衬底上的牺牲层和电池层，沿远离所述衬底的方向，所述牺牲层和所述电池层依次叠置，所述牺牲层能通过湿法腐蚀辅助所述衬底与所述电池层分离，其特征在于，所述牺牲层从边缘区域向中心区域厚度逐渐降低； 所述牺牲层边缘区域与中心区域的厚度差范围为10～50nm； 所述砷化镓电池外延结构还包括翘曲调节层和欧姆接触层，所述欧姆接触层和所述翘曲调节层设置于所述牺牲层与所述电池层之间，且沿远离所述牺牲层的方向，所述欧姆接触层和所述翘曲调节层依次叠置，所述翘曲调节层的与所述电池层相接触的面为平面； 所述翘曲调节层采用AlInP或AlGaAs材料。
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