意法半导体国际公司C·莫里亚克获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利双向可控硅器件和电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223943091U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520235625.X，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型双向可控硅器件和电子设备是由C·莫里亚克;L·西格特设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本双向可控硅器件和电子设备在说明书摘要公布了：提供双向可控硅器件和电子设备。示例性双向可控硅器件被形成在半导体基底内部和顶上。双向可控硅器件包括：在基底的第一表面侧的第一掺杂区，具有第一导电类型并且被连接到第一导电端子；在基底的与第一表面相对的第二表面侧单独第二掺杂区，具有第一导电类型并且被连接到第二导电端子；和栅极区，被连接到控制端子。第一区和第二区分别具有第一和第二平行侧向表面。在第一和第二平行侧向表面之间是未被第一区和第二区覆盖的分离区，分离区被整形为条，所述条在栅极区内部沿着第一方向延伸并且在栅极区之外表现出屈曲。
本实用新型双向可控硅器件和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种双向可控硅器件，其特征在于，所述双向可控硅器件被形成在半导体基底内部和顶上，所述双向可控硅器件包括： 在基底的第一表面侧的第一掺杂区，具有第一导电类型并且被连接到双向可控硅器件的第一导电端子； 在基底的与第一表面相对的第二表面侧的第二掺杂区，具有第一导电类型并且被连接到双向可控硅器件的第二导电端子；和 栅极区，被连接到双向可控硅器件的控制端子， 其中第一掺杂区和第二掺杂区分别具有第一和第二平行侧向表面，双向可控硅器件在第一和第二平行侧向表面之间包括未被第一掺杂区和第二掺杂区覆盖的分离区，分离区具有条的形状，所述条在栅极区内部沿着第一方向延伸并且在栅极区之外表现出屈曲。
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