意法半导体国际公司C·A·苏亚雷斯·塞戈维亚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利集成电路以及半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223943087U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422921887.X，技术领域涉及：H10B41/50；该实用新型集成电路以及半导体器件是由C·A·苏亚雷斯·塞戈维亚;S·让诺;G·马尔迪内利;N·米里迪设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路以及半导体器件在说明书摘要公布了：本公开涉及集成电路以及半导体器件。集成电路，包括：半导体衬底；横向隔离区，在所述半导体衬底中界定有源区；以及布置在沟槽中的部件，所述沟槽穿过所述横向隔离区和所述有源区在所述半导体衬底中在深度中竖直延伸；其中所述沟槽的底部具有在深度中变化的形状，其中所述沟槽的底部的下部面向穿过所述横向隔离区的所述沟槽的位置，并且所述沟槽的底部的上部面向穿过所述有源区的所述沟槽的位置，所述深度中的所述变化归因于所述横向隔离区在所述沟槽的位置处具有所述横向隔离区的扩大部分，所述横向隔离区的扩大部分界定所述有源区的减薄部分。利用本公开的实施例有利的通过减小存取晶体管的电阻来改善存储器的性能和效率。
本实用新型集成电路以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，其特征在于，包括： 半导体衬底； 横向隔离区，在所述半导体衬底中界定有源区；以及 布置在沟槽中的部件，所述沟槽穿过所述横向隔离区和所述有源区在所述半导体衬底中在深度中竖直延伸； 其中所述沟槽的底部具有在深度中变化的形状，其中所述沟槽的底部的下部面向穿过所述横向隔离区的所述沟槽的位置，并且所述沟槽的底部的上部面向穿过所述有源区的所述沟槽的位置，所述深度中的所述变化归因于所述横向隔离区在所述沟槽的位置处具有所述横向隔离区的扩大部分，所述横向隔离区的扩大部分界定所述有源区的减薄部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体国际公司，其通讯地址为：瑞士日内瓦；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励