台湾积体电路制造股份有限公司科努杜拉·文卡特斯瓦拉·雷迪获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利记忆体电路及记忆体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223941552U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520039027.5，技术领域涉及：G11C11/413；该实用新型记忆体电路及记忆体装置是由科努杜拉·文卡特斯瓦拉·雷迪;普里·尼基尔;马西纳·泰贾;林高正;陈炎辉;廖宏仁设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本记忆体电路及记忆体装置在说明书摘要公布了：一种记忆体电路及记忆体装置。记忆体电路包含记忆体阵列，其包括第一部分及第二部分。该第一部分包括多个第一记忆体单元，而该第二部分包括多个第二记忆体单元。该记忆体电路包含沿着第一横向方向实体设置于该记忆体阵列旁边的输入输出IO电路，其分别经由第一存取线及第二存取线耦接至该第一部分及该第二部分。该记忆体电路包含第一预充电电路，其自该IO电路与该第一部分实体相对设置且用以在存取所述多个第一记忆体单元之前对该第一存取线进行充电。该记忆体电路包含第二预充电电路，其自该第一预充电电路与该第二部分实体相对设置且用以在存取所述多个第二记忆体单元之前对该第二存取线的至少一部分进行充电。
本实用新型记忆体电路及记忆体装置在权利要求书中公布了：1.一种记忆体电路，其特征在于，包括： 一记忆体阵列，包括一第一部分及一第二部分，其中该第一部分包括多个第一记忆体单元，而该第二部分包括多个第二记忆体单元； 一输入输出电路，沿着一第一横向方向实体设置于该记忆体阵列旁边，其中该输入输出电路分别经由一第一存取线及一第二存取线耦接至该第一部分及该第二部分； 一第一预充电电路，沿着该第一横向方向自该输入输出电路与该第一部分实体相对设置；及 一第二预充电电路，沿着该第一横向方向自该第一预充电电路与该第二部分实体相对设置。
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