山西烁科晶体有限公司高宇鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉山西烁科晶体有限公司申请的专利一种减少碳化硅初期晶体缺陷的坩埚结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223936658U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520486667.0，技术领域涉及：C30B23/00；该实用新型一种减少碳化硅初期晶体缺陷的坩埚结构是由高宇鹏;李斌;魏汝省;毛开礼;李天;戴鑫;范云;乔亮;韩淳屹;阴少春设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种减少碳化硅初期晶体缺陷的坩埚结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种减少碳化硅初期晶体缺陷的坩埚结构，涉及碳化硅晶体生长技术领域；包括坩埚本体，坩埚本体上方内壁连接有导流筒，导流筒上放置有籽晶；导流筒为上下均敞口的筒状结构，导流筒的底部和内壁均位于坩埚本体内，导流筒的筒壁内开设有多条漏气通道，漏气通道一端与导流筒的顶部连通，一端与导流筒的底部或内壁连通；通过漏气通道将坩埚本体内部空间与坩埚本体外部空间连通；漏气通道的内径为微米级；本实用新型通过在导流筒内部增加微米级的漏气通道，提高晶体生长初期Si气氛的漏率，改善晶体生长初期气氛中CSi比，降低晶体生长初期多型的发生概率，进而提高碳化硅单晶的成品率。
本实用新型一种减少碳化硅初期晶体缺陷的坩埚结构在权利要求书中公布了：1.一种减少碳化硅初期晶体缺陷的坩埚结构，包括坩埚本体1，坩埚本体1上方内壁连接有导流筒2，所述导流筒2上放置有籽晶3；其特征在于，所述导流筒2为上下均敞口的筒状结构，导流筒2的底部和内壁均位于坩埚本体1内，导流筒2的筒壁上开设有多条漏气通道4，所述漏气通道4一端与导流筒2的顶部连通，另一端与导流筒2的底部或内壁连通；通过漏气通道4将坩埚本体1内部空间与坩埚本体1外部空间连通；所述漏气通道4的内径为微米级。
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