超晶科技(黑龙江)有限公司刘一鸣获国家专利权
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龙图腾网获悉超晶科技(黑龙江)有限公司申请的专利一种采用微波等离子沉积的偏置电压样品台获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223936604U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520605042.1，技术领域涉及：C23C16/511；该实用新型一种采用微波等离子沉积的偏置电压样品台是由刘一鸣;孙丽丽设计研发完成，并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种采用微波等离子沉积的偏置电压样品台在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种采用微波等离子沉积的偏置电压样品台，属于金刚石制备技术领域，该种采用微波等离子沉积的偏置电压样品台，包括微波等离子体化学气相沉积设备反应腔室、水冷沉积台、偏压电极升降台、石英圆筒和钨制环形偏压电极，所述微波等离子体化学气相沉积设备反应腔室底部设置有偏压样品台，所述微波等离子体化学气相沉积设备反应腔室顶部设置有石英微波窗口。本实用新型通过集成了直接向等离子体加偏置电压的偏压电极和水冷沉积台，并且二者的高低位置均可独立调节，可以有利于找到电极、样品台和等离子体三者最合适的实时相对位置，从而实现稳定、均匀、高效的偏压增强形核工艺过程，利于金刚石在沉积衬底上均匀地形核和生长。
本实用新型一种采用微波等离子沉积的偏置电压样品台在权利要求书中公布了：1.一种采用微波等离子沉积的偏置电压样品台，包括微波等离子体化学气相沉积设备反应腔室1、水冷沉积台4、偏压电极升降台5、石英圆筒10和钨制环形偏压电极11，其特征在于：所述微波等离子体化学气相沉积设备反应腔室1底部设置有偏压样品台，所述微波等离子体化学气相沉积设备反应腔室1顶部设置有石英微波窗口2，所述水冷沉积台4位于微波等离子体化学气相沉积设备反应腔室1内部中心处，且所述水冷沉积台4为金属材质，所述水冷沉积台4顶部连接有金刚石沉积衬底15，所述金刚石沉积衬底15顶部设置有等离子体3。
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