上海羲禾科技股份有限公司田斌获国家专利权
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龙图腾网获悉上海羲禾科技股份有限公司申请的专利硅光栅耦合器、堆栈结构的制备方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121386084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511960491.9，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权硅光栅耦合器、堆栈结构的制备方法及电子设备是由田斌;冯大增设计研发完成，并于2025-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅光栅耦合器、堆栈结构的制备方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种硅光栅耦合器、堆栈结构的制备方法及电子设备，涉及光通信技术领域。硅光栅耦合器包括：光波导、光纤和堆栈结构；堆栈结构设置在光波导和光纤之间；在垂直于光波导放置平面的垂直方向上，堆栈结构包括至少两层光学膜层；光学膜层上刻蚀有光学图案；其中，光学膜层基于光学图案对光波导出射的初始光束的光学特性进行调整，得到调整光束，并向光纤传输调整光束；光学特性包括：光束的传播方向、发散角、模式轮廓中的至少一种。在后道金属互连层的堆栈结构上设置具有光学图案的光学膜层，以通过堆栈结构对光波导出射的光束的传播方向、发散角、模式轮廓等进行调整，以实现光束的整形和转向，通过低成本的器件结构提高光束的质量。
本发明授权硅光栅耦合器、堆栈结构的制备方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种硅光栅耦合器，其特征在于，所述硅光栅耦合器包括：光波导、光纤和堆栈结构； 所述堆栈结构设置在所述光波导和所述光纤之间； 在垂直于所述光波导放置平面的垂直方向上，所述堆栈结构包括至少两层光学膜层；所述光学膜层上刻蚀有光学图案；其中，所述光学膜层基于所述光学图案对所述光波导出射的初始光束的光学特性进行调整，得到调整光束，并向所述光纤传输所述调整光束； 其中，所述光学特性包括：光束的传播方向、发散角、模式轮廓中的至少一种； 所述堆栈结构还包括：底层结构、中间层结构和顶层结构；在所述垂直方向上，所述光学膜层设置在所述底层结构和所述顶层结构之间；两个相邻的所述光学膜层之间设置有所述中间层结构；其中，所述中间层结构用于物理隔离两个相邻的所述光学膜层。
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