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龙图腾网获悉天津中科晶禾电子科技有限责任公司申请的专利半导体材料键合装置、对准方法和校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121335608B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511882440.9，技术领域涉及：H10W80/00；该发明授权半导体材料键合装置、对准方法和校准方法是由么之光;高智伟;母凤文;谭向虎设计研发完成，并于2025-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体材料键合装置、对准方法和校准方法在说明书摘要公布了：本发明属于键合技术领域，公开了一种半导体材料键合装置、对准方法和校准方法。半导体材料键合装置包括真空腔室、承压单元、施压单元和位置检测单元，真空腔室具有第一腔体和第二腔体；承压单元的基座设置于第一腔体内，运动平台设置于基座上；施压单元的压头设置于第二腔体内且位于基座的正上方，压头用于带动第二半导体材料沿第一方向压向第一半导体材料；位置检测单元位于真空腔室的外面，第一向下检测相机和第二向下检测相机透过第一腔体检测第一半导体材料的标记位置，第一向上检测相机和第二向上检测相机透过第一腔体检测第二半导体材料的标记位置。本发明能够不破坏真空腔室的真空度，减小真空腔室的体积，缩短抽真空的时间。

本发明授权半导体材料键合装置、对准方法和校准方法在权利要求书中公布了：1.半导体材料键合装置，其特征在于，包括： 真空腔室1，具有沿第一方向相互连通的第一腔体11和第二腔体12； 承压单元2，包括基座21和运动平台22，所述基座21设置于所述第一腔体11内，所述运动平台22设置于所述基座21上，所述运动平台22至少能够带动第一半导体材料100旋转和沿第二方向移动； 施压单元3，包括压头31，所述压头31设置于所述第二腔体12内且位于所述基座21的正上方，所述压头31用于带动第二半导体材料200沿所述第一方向压向所述第一半导体材料100； 位置检测单元4，位于所述真空腔室1的外面，包括第一向下检测相机43、第二向下检测相机44、第一向上检测相机41和第二向上检测相机42，所述第一向下检测相机43和所述第二向下检测相机44均位于所述第一腔体11的上方且对称设置于所述第二腔体12的两侧，分别用于透过所述第一腔体11检测所述第一半导体材料100的标记位置，所述第一向上检测相机41和所述第二向上检测相机42均位于所述第一腔体11的下方且对称设置，分别用于透过所述第一腔体11检测所述第二半导体材料200的标记位置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津中科晶禾电子科技有限责任公司，其通讯地址为：300451 天津市滨海新区塘沽海洋科技园新北路4668号创新创业园22-A号厂房二层C角；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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