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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利金刚石异质结构制孔方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121335429B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511863706.5，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权金刚石异质结构制孔方法是由张紫辰;石海燕;张喆;李进;张利;彭谞睿;李俊斌;李澳设计研发完成，并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本金刚石异质结构制孔方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种金刚石异质结构制孔方法，包括：提供一待加工异质结构，异质结构至少包括依次层叠设置的金刚石层、半导体膜层和金属层；金刚石表面涂覆光刻胶掩膜，依据目标制孔位置和尺寸，将激光束聚焦于光刻胶进行烧蚀去除；依据目标制孔位置和尺寸，采用对光刻胶具有透过特性的激光束入射至预留高度；由预留高度开始，依据预设步进高度逐层聚焦照射并扫描，改变其晶型结构；对金刚石层被激光束扫描的区域进行去除形成盲孔；以光刻胶层为掩膜，对半导体膜层和预留高度的金刚石层进行刻蚀，直至金属层暴露后，去除光刻胶，完成金刚石异质结构制孔。本发明能够有效提高金刚石异质结构的制孔效率并避免对半导体膜层和金属层的热损伤。

本发明授权金刚石异质结构制孔方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石异质结构制孔方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一待加工异质结构，所述异质结构至少包括依次层叠设置的金刚石层、半导体膜层和金属层； 金刚石表面涂覆光刻胶掩膜，依据目标制孔位置和尺寸，将激光束聚焦于光刻胶，以对所述光刻胶进行烧蚀去除； 依据目标制孔位置和尺寸，采用对光刻胶具有透过特性的激光束，由金刚石层背离半导体膜层的表面入射至预留高度； 由预留高度开始，依据预设步进高度逐层聚焦照射并扫描，以改变金刚石层被激光束扫描的区域的晶型结构； 对所述金刚石层被激光束扫描的区域进行去除，以在异质结构上形成盲孔； 以所述光刻胶层为掩膜，对所述半导体膜层和预留高度的金刚石层进行刻蚀，直至所述金属层暴露后，去除所述光刻胶，完成金刚石异质结构制孔； 其中，所述由预留高度开始，依据预设步进高度逐层聚焦照射并扫描包括： 依据所述预设步进高度，获取空间光调制器对每次在高度方向上步进后，对激光束进行球差校正所需的全息图； 每次在激光束聚焦位置在高度方向上步进后，将激光束聚焦之前，对所述空间光调制器加载当前高度对应的全息图，并采用所述空间光调制器对所述激光束进行球差校正。

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