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龙图腾网获悉广东芯粤能半导体有限公司申请的专利一种沟槽型功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121335136B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511870837.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种沟槽型功率器件及其制备方法是由郭东恺;相奇;陈骁;马辑;冯锐设计研发完成，并于2025-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽型功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种沟槽型功率器件及其制备方法，包括：提供半导体衬底，在其一侧形成外延层；在外延层内形成多个第一沟槽；在第一沟槽侧壁及底部的外延层形成与外延层的导电类型相反的第一屏蔽区；在第一屏蔽区底部的外延层形成与第一屏蔽区的底部相接、导电类型相同、底部与外延层底部间隔设置的第二屏蔽区；在第一沟槽内形成包括层叠设置的第一介质层及第二介质层的填充结构层，第一介质层覆盖第一沟槽内壁，第二介质层覆盖第一介质层并填充第一沟槽，第二介质层为半导体材料且其禁带宽度不小于外延层的禁带宽度；于相邻两个第一沟槽之间形成第二沟槽；于第二沟槽内形成栅极结构层。上述沟槽型功率器件及其制备方法显著提升了器件的耐压水平。

本发明授权一种沟槽型功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供半导体衬底，于所述半导体衬底的一侧形成外延层； 于所述外延层内形成多个间隔设置的第一沟槽； 于位于所述第一沟槽的侧壁及底部的所述外延层中进行离子注入，以形成第一屏蔽区，所述第一屏蔽区的导电类型与所述外延层的导电类型相反； 于位于所述第一屏蔽区底部的所述外延层中进行离子注入，以形成第二屏蔽区，其中，所述第二屏蔽区的顶部与所述第一屏蔽区的底部相接，所述第二屏蔽区的注入深度大于所述第一屏蔽区的注入深度，所述第一屏蔽区的掺杂浓度大于所述第二屏蔽区的掺杂浓度，且所述第一屏蔽区与所述第二屏蔽区的导电类型相同，所述第二屏蔽区的底部与所述外延层的底部之间间隔设置； 于所述第一沟槽内形成填充结构层，所述填充结构层包括层叠设置的第一介质层以及第二介质层，所述第一介质层覆盖所述第一沟槽内壁，所述第二介质层覆盖所述第一介质层并填充所述第一沟槽，所述第二介质层为半导体材料且所述第二介质层的禁带宽度不小于所述外延层的禁带宽度，所述外延层的材质包括碳化硅；所述第一介质层的材质包括二氧化硅、氮化硅；所述第二介质层的材质包括碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石； 于相邻两个所述第一沟槽之间形成第二沟槽； 于所述第二沟槽内形成栅极结构层。

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