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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种氧化镓基发光二极管外延结构缺陷检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121324382B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511892951.9，技术领域涉及：G01N21/95；该发明授权一种氧化镓基发光二极管外延结构缺陷检测方法是由汪连山;赵柏聿;高放;麻胜恒设计研发完成，并于2025-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化镓基发光二极管外延结构缺陷检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化镓基发光二极管外延结构缺陷检测方法，涉及电学领域，包括步骤S1：将目标外延结构区域划分为若干子区域，获取各子区域在不同光谱下的色彩异常值及区域异常面积比，形成静态检测数据；步骤S2：基于静态检测数据进行静态缺陷检测，若无静态缺陷则进行动态检测，获取峰值发光亮度偏差；步骤S3：根据动态检测数据发布静态或动态缺陷预警。本发明通过多光谱协同分析和动静态结合检测，显著提高了缺陷检测的全面性和准确性。

本发明授权一种氧化镓基发光二极管外延结构缺陷检测方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓基发光二极管外延结构缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：对目标外延结构区域进行划分，得到若干个面积相等的外延结构子区域，并针对每个子区域在不同类型的检测光谱下获取色彩异常值，根据色彩异常值计算每个外延结构子区域对应的区域异常面积比，形成外延结构静态检测数据； S11：对氧化镓基发光二极管对应的外延结构区域进行划分为若干个面积相等的外延结构子区域，并在所获取的多个外延结构子区域中任意选取一个样本外延子区域； S12：对样本外延子区域进行色彩异常性分析，根据分析结果获取样本外延子区域所对应的异常区域面积比； S121：在对样本外延子区域进行色彩异常性分析的过程中，针对样本外延子区域设置若干种不同类型的检测光谱，并将所设置的检测光谱分别命名为H1检测光谱至Ha检测光谱； S122：将样本外延子区域分割为若干个区域像素点，并在所获取的多个区域像素点中任意选取一个样本区域像素点； S123：对处于H1检测光谱照射下的样本区域像素点进行色相分析，根据分析结果获取样本区域像素点所对应的H1色相偏差值； 使用H1检测光谱照射对样本区域像素点进行照射，通过图像获取设备对处于H1检测光谱照射下的样本区域像素点进行实时图像获取，得到H1像素点图像； 使用HSV颜色模型对H1像素点图像进行图像参数分解，根据分解结果分别获取样本区域像素点所对应的色相数值、饱和度数值以及明度数值； 分别获取样本区域像素点在H1检测光谱照射下的色相基准数值、饱和度基准数值以及明度基准数值； 将色相数值、饱和度数值、明度数值、色相基准数值、饱和度基准数值以及明度基准数值通过计算得到样本区域像素点所对应的H1色相偏差值； 对H1色相偏差值进行计算，具体公式如下： ； 其中，Sph1为样本区域像素点所对应的H1色相偏差值，Syy为色相数值，Myy为饱和度数值，Byy为明度数值，Syj为色相基准数值，Myj为饱和度基准数值，Byj为明度基准数值； S13：分别获取每一个外延结构子区域所对应的异常区域面积比，得到外延结构静态检测数据； S2：基于外延结构静态检测数据对氧化镓基发光二极管进行静态结构缺陷检测，若检测结果不存在静态结构缺陷，则执行动态结构缺陷检测，通过动态检测获取检测峰值发光亮度偏差，并将该偏差与静态检测数据结合，形成外延结构动态检测数据； S3：根据外延结构动态检测数据对氧化镓基发光二极管进行结构缺陷预警，具体包括静态缺陷预警和动态缺陷预警两类。

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