合肥晶合集成电路股份有限公司陈月月获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310847B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511862533.5，技术领域涉及：H10P10/00；该发明授权半导体结构及其键合方法是由陈月月;杨昱霖;沈娅;葛展志;许超设计研发完成，并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其键合方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其键合方法，涉及半导体技术领域。其首先提供两个基底，该基底包括凹槽以及位于凹槽内的导电层，在垂直于基底的方向上，导电层的高度要小于凹槽高度，导电层上设置有复合材料层，该复合材料是在凹槽内的导电层上定向原位合成的，可以调控反应条件，控制复合材料生成的量，省去了传统工艺中对导电层的高度特调。复合材料的多孔结构在键合过程中可以容纳导电层的热熔扩散，既防止了导电层金属渗透基底，又通过骨架填充保障了导电连续性。复合材料层表面丰富的官能团使键合界面同时具备介电材料键合与复合材料间键合的协同效应，比现有键合强度更高，采用本申请的键合方法可以形成键合强度更高，可靠性更好的半导体结构。
本发明授权半导体结构及其键合方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的键合方法，其特征在于，包括： 提供两个基底，所述基底包括凹槽以及位于所述凹槽内的导电层，在垂直于所述基底的方向上，所述导电层的高度小于所述凹槽的高度； 于所述导电层上原位生长复合材料层，所述复合材料层填平所述凹槽，所述复合材料层为多孔骨架结构，且所述复合材料层的表面具有多种官能团； 将两个所述基底进行键合，其中，所述复合材料层相对设置且进行所述官能团的键合； 进行退火处理，以使所述导电层的粒子扩散至所述复合材料层内。
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