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龙图腾网获悉杭州博思芯宇科技有限公司申请的专利算力芯片的状态评估方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121299426B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511852035.2，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权算力芯片的状态评估方法、装置、设备及存储介质是由杨玉鑫;黄薪月;王乃行;焦德伟设计研发完成，并于2025-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本算力芯片的状态评估方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及算力芯片的状态评估方法、装置、设备及存储介质。方法包括：获取目标算力芯片的目标参考测试频率；基于目标参考测试频率，根据预定的标准电压确定目标算力芯片的算子集的第一计算结果，以及根据梯度电压偏置条件确定目标算力芯片的算子集的第二计算结果；根据第一计算结果与第二计算结果，确定测试算子运行时的错误计数和首次出错电压；根据错误计数和首次出错电压，计算电压裕量因子以及错误概率与电压点之间的最大拟合斜率；根据电压裕量因子和错误概率的最大拟合斜率，结合状态评估参数优先级进行算力芯片状态评估。本申请能够精确捕捉到施加不同电压偏置时发生计算错误的数据，更有利于提高算力芯片状态评估分级的准确率。

本发明授权算力芯片的状态评估方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.算力芯片的状态评估方法，其特征在于，所述方法包括： 获取目标算力芯片的目标参考测试频率； 基于所述目标参考测试频率，根据预定的标准电压确定所述目标算力芯片的算子集的第一计算结果，以及根据梯度电压偏置条件确定所述目标算力芯片的算子集的第二计算结果，算子集包括多个测试算子； 根据所述第一计算结果与所述第二计算结果，确定所述目标算力芯片的测试算子运行时的错误计数和首次出错电压； 根据测试算子运行时的所述错误计数和所述首次出错电压，计算所述目标算力芯片的电压裕量因子以及错误概率与电压点之间的最大拟合斜率； 根据测试算子的所述电压裕量因子和所述错误概率的最大拟合斜率，结合所述目标算力芯片的状态评估参数优先级进行算力芯片状态评估； 所述错误计数包括测试算子的总运行失败次数与比特位错误总数，所述根据测试算子运行时的所述错误计数和所述首次出错电压，计算所述目标算力芯片的电压裕量因子以及错误概率与电压点之间的最大拟合斜率，包括：根据测试算子的所述总运行失败次数和预设的总运行次数确定测试算子的运行失败概率；根据测试算子的所述比特位错误总数、所述预设的总运行次数和测试算子的输出长度确定测试算子的比特位错误率；基于多次运行后测试算子的所述运行失败概率和所述比特位错误率，计算测试算子的运行失败概率均值和比特位错误率均值；基于所述电压点、所述运行失败概率均值和所述比特位错误率均值进行分段线性拟合，获取拟合曲线中的所述错误概率的最大拟合斜率，其中，所述错误概率的最大拟合斜率包括：基于所述电压点与所述运行失败概率均值的最大拟合斜率以及所述电压点所述比特位错误率均值的最大拟合斜率；根据所述预定的标准电压和测试算子的所述首次出错电压计算所述电压裕量因子。

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