福建省金石能源股份有限公司林朝晖获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省金石能源股份有限公司申请的专利一种超薄平面背接触电池及其制备方法和电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262891B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511821810.8，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权一种超薄平面背接触电池及其制备方法和电池组件是由林朝晖;林楷睿;曾清华;张超华设计研发完成，并于2025-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超薄平面背接触电池及其制备方法和电池组件在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种超薄平面背接触电池及其制备方法和电池组件，包括依次设置的晶体硅基板、非晶硅层，其中非晶硅层的远离晶体硅基板的一侧表面具有交替形成的N型掺杂区和P型掺杂区、以及在N型掺杂区和P型掺杂区之间设置的隔离区；其中，N型掺杂区中H最高掺杂浓度与P最高掺杂浓度的比值为0.2‑10，P型掺杂区中H最高掺杂浓度与B最高掺杂浓度的比值不小于1.2，N型掺杂区和P型掺杂区的厚度各自独立地不大于10nm。本发明能够在采用平整背接触电池结构的情况下，提升载流子传输性能和降低载流子复合率，从而提升电池转换效率；同时降低应力集中和边缘复合，降低爆膜和漏电风险。
本发明授权一种超薄平面背接触电池及其制备方法和电池组件在权利要求书中公布了：1.一种超薄平面背接触电池，其特征在于，包括依次设置的晶体硅基板、非晶硅层，其中非晶硅层的远离晶体硅基板的一侧表面具有交替形成的N型掺杂区和P型掺杂区、以及在N型掺杂区和P型掺杂区之间设置的隔离区；其中，N型掺杂区中H最高浓度与P最高掺杂浓度的比值为0.2-10，P型掺杂区中H最高浓度与B最高掺杂浓度的比值不小于1.2，且非晶硅层的厚度为7-60nm，N型掺杂区和P型掺杂区的厚度各自独立地不大于10nm。
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