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龙图腾网获悉广东芯粤能半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262850B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511824097.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其制备方法是由胥翥;相奇;陈骁;黄秀洪;张荣荣设计研发完成，并于2025-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构由于在源极沟槽内填充了宽禁带介质层，使电场在横向和纵向上分布得更加均匀平坦，宽禁带介质层可以更精细地调制器件内部的电场，特别是栅极沟槽底部的电场峰值，使得栅极氧化层承受的最大电场应力会进一步降低，从而增强了栅极氧化层的长期可靠性和器件的耐压能力。同时降低了器件热阻，提升了功率密度，减少了热应力，提高了器件在严峻功率循环工况下的机械鲁棒性和寿命。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底具有第一掺杂类型； 于所述衬底的一侧形成外延结构，所述外延结构包括漂移区、阱区以及源区，所述阱区位于所述漂移区的远离所述衬底的一侧，所述源区位于所述阱区的远离所述漂移区的一侧，所述漂移区与所述源区具有第一掺杂类型，所述阱区具有第二掺杂类型； 自所述源区的一侧对所述外延结构进行刻蚀，形成源极沟槽； 于所述源极沟槽内填充宽禁带介质层； 自所述源区的一侧对所述外延结构进行刻蚀，形成栅极沟槽，所述栅极沟槽在平行于所述衬底的方向上，位于所述源极沟槽之间； 于所述栅极沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极氧化层以及栅极，所述栅极氧化层位于所述栅极与所述外延结构之间； 所述于所述源极沟槽内填充宽禁带介质层之前，包括： 于所述外延结构以及所述源极沟槽的远离所述衬底的一侧形成第一介质材料层； 所述于所述源极沟槽内填充宽禁带介质层，包括： 于所述第一介质材料层的远离所述衬底的一侧形成宽禁带介质材料层； 去除所述外延结构的远离所述衬底的一侧的所述宽禁带介质材料层以及第一介质材料层，剩余的所述宽禁带介质材料层形成宽禁带介质层，剩余的所述第一介质材料层形成第一介质层。

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