合肥晶合集成电路股份有限公司陈维邦获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121240570B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511797693.6，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器是由陈维邦设计研发完成，并于2025-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器在说明书摘要公布了：本公开涉及一种背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器，涉及集成电路技术领域，包括：提供衬底，于衬底的背面形成沿平行于背面的第一方向，交替排布且导电类型相反的第一半导体层、第一初始光敏叠层；形成沿第一方向交替排布且导电类型相反的第二半导体层、第二光敏层的过程中，刻蚀第一初始光敏叠层以得到第一光敏叠层；第二半导体层位于第一半导体层的顶面；第二光敏层覆盖第一光敏叠层的顶面；形成沿第一方向交替排布且导电类型相反的第三半导体层、第三光敏层。至少能够增加感光区域的电子浓度，提高BSI图像传感器的感光性能。
本发明授权背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器制备方法，其特征在于，包括： 提供P型衬底； 于所述衬底的背面形成沿平行于所述背面的第一方向，交替排布且导电类型相反的第一半导体层、第一初始光敏叠层； 形成沿所述第一方向交替排布且导电类型相反的第二半导体层、第二光敏层的过程中，刻蚀所述第一初始光敏叠层以得到第一光敏叠层；所述第二半导体层位于所述第一半导体层的顶面；所述第二光敏层覆盖所述第一光敏叠层的顶面； 形成沿所述第一方向交替排布且导电类型相反的第三半导体层、第三光敏层；所述第三半导体层位于所述第二半导体层的顶面；所述第三光敏层覆盖所述第二光敏层的顶面；层叠的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层均为P型且用于构成隔离柱，层叠的第一光敏叠层、第二光敏层、第三光敏层均为N型且用于构成光敏叠层，邻接的所述隔离柱、所述光敏叠层用于共同形成用于隔离的PN结。
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