中国科学院赣江创新研究院黄晓旭获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院赣江创新研究院申请的专利一种C轴择优取向YAlN薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121228188B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511784393.4，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种C轴择优取向YAlN薄膜及其制备方法与应用是由黄晓旭;刘俊龙;曹端文;张伟刚设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种C轴择优取向YAlN薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种C轴择优取向YAlN薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：1将衬底置于抽真空的腔体中，加热衬底至离子注入温度；2向腔体中通入第一气体至腔体内的气压至第一工作压力，对衬底表面进行离子注入处理；3向所述腔体中通入第二工作气体至腔体内的气压至第二工作压力，在所述离子注入处理后的衬底表面，反应磁控溅射沉积YAlN薄膜。本发明将离子注入诱导的界面调控与反应磁控溅射的薄膜沉积过程有机结合，二者协同作用，形成稳定的C轴择优取向YAlN薄膜沉积。通过多步骤集成的优化工艺，显著降低了薄膜制备的成本同时也有效保障了薄膜的C轴取向度。
本发明授权一种C轴择优取向YAlN薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种C轴择优取向YAlN薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 1将衬底置于抽真空的腔体中，加热衬底至离子注入温度； 2向腔体中通入第一气体至腔体内的气压至第一工作压力，对衬底表面进行离子注入处理； 3向所述腔体中通入第二工作气体至腔体内的气压至第二工作压力，启动靶材的溅射电源，在所述离子注入处理后的衬底表面，反应磁控溅射沉积YAlN薄膜； 步骤3所述靶材包括Y靶与Al靶，或所述靶材包括YAl合金靶； 步骤1所述离子注入温度为100℃~200℃； 步骤2所述离子注入的深度为10nm~20nm。
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