山西创芯光电科技有限公司史鹏程获国家专利权
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龙图腾网获悉山西创芯光电科技有限公司申请的专利一种铟柱制备方法及铟柱、红外探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121218729B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511748083.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种铟柱制备方法及铟柱、红外探测器是由史鹏程;张培峰;韩润宇;严晋涛;冯伟;文晋设计研发完成，并于2025-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铟柱制备方法及铟柱、红外探测器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种铟柱制备方法及铟柱、红外探测器，属于红外探测器技术领域；解决了现有红外探测器电极爬坡生长工艺中侧壁电极厚度过薄、阻抗大等问题，该方法包括以下步骤：采用常规台面制作工艺形成各个接触层的台面，然后光刻开孔、钝化开孔，并清洗；采用金属蒸镀工艺在开孔中生长ubm金属，形成ubm电极，然后剥离、清洗；通过光刻工艺在各ubm电极上形成铟柱光刻孔，在铟柱光刻孔中生长铟层，然后剥离、清洗；对完成清洗后的芯片进行回流工艺，经回流工艺后通过铟柱的融化、表面张力作用得到上表面水平高度相同的均匀铟柱焊点；本申请应用于红外探测器的铟柱制备。
本发明授权一种铟柱制备方法及铟柱、红外探测器在权利要求书中公布了：1.一种铟柱制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤一：采用常规台面制作工艺形成各接触层的台面，然后光刻开孔、钝化开孔，并清洗； 步骤二：采用金属蒸镀工艺在开孔中生长ubm金属，形成ubm电极，然后剥离、清洗，且设各个接触层对应的ubm电极面积均为b； 步骤三：通过光刻工艺在各ubm电极上形成铟柱光刻孔，在铟柱光刻孔中生长铟层，然后剥离、清洗，根据各接触层的台面刻蚀深度依次加深的顺序，设各接触层的开孔面积依次为c1、c2、……、cn，且c1＜c2＜……＜cn；并设铟层的高度为d，使得，其中hn表示第n接触层的台面刻蚀深度； 步骤四：对完成清洗后的芯片使用回流工艺进行回流，在各个接触层得到上表面水平高度相同的铟柱焊点。
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