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龙图腾网获悉北京七星华创微电子有限责任公司申请的专利一种用于并行接口NOR FLASH存储器的测试系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121215010B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511745569.5，技术领域涉及：G11C29/10；该发明授权一种用于并行接口NOR FLASH存储器的测试系统是由王鹏飞;吴雷;于长存;郑泳辉设计研发完成，并于2025-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于并行接口NOR FLASH存储器的测试系统在说明书摘要公布了：本发明涉及存储器测试技术领域，提出了一种用于并行接口NORFLASH存储器的测试系统，包括：NORFLASH存储器测试过程中采集测试数据块的测试数据在存储区域和校验操作的验证信息，判断测试数据块是否存在错误；划分存在错误的测试数据块，确定二次待分析测试数据块；标记目标测试数据，识别高频错误测试数据，划分需调整的二次待分析测试数据块为三次待分析测试数据块，重复判断和划分，直至数据块无法继续划分或数据块的判断结果均为不进行划分，实现齐步法的分块验证方式的设置，使用齐步法评估并行接口NORFLASH存储器的耐久性。本发明可自适应设置分块验证方式，提升耐久性测试结果的准确性。

本发明授权一种用于并行接口NOR FLASH存储器的测试系统在权利要求书中公布了：1.一种用于并行接口NORFLASH存储器的测试系统，其特征在于，该系统包括以下模块： 数据采集模块，用于在对并行接口NORFLASH存储器进行测试过程中，采集每一相同预设大小的测试数据块的测试数据在存储区域的验证信息和每一次校验操作的验证信息，判断测试数据块是否存在错误； 错误测试数据块划分模块，用于根据存在错误的测试数据块的测试数据在存储区域和校验操作时验证信息的差异，划分存在错误的测试数据块，根据划分后的测试数据块在进行校验操作和存储区域时验证信息的差异，确定二次待分析测试数据块； 耐久性测试评估模块，用于将二次待分析测试数据块内任意一个测试数据记为目标测试数据，根据目标测试数据所在的所有测试数据块是否存在错误的判断结果、目标测试数据所在的所有测试数据块内包含的测试数据的数量，识别高频错误测试数据，根据二次待分析测试数据块内所有不同高频错误测试数据所在的测试数据块判断是否存在错误的次数，以及对二次待分析测试数据块进行分析的时间，判断是否对二次待分析测试数据块的大小进行调整，若是，将二次待分析测试数据块划分为三次待分析测试数据块，判断是否对三次待分析测试数据块的大小进行调整，并将进行调整的三次待分析测试数据块划分为四次待分析测试数据块，重复判断，直至数据块无法继续划分或数据块的判断结果均为不进行划分，实现齐步法的分块验证方式的设置，使用齐步法评估并行接口NORFLASH存储器的耐久性。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京七星华创微电子有限责任公司，其通讯地址为：101200 北京市平谷区马坊镇马坊大街32号院5号楼1至5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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