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龙图腾网获悉芯和半导体科技(上海)股份有限公司申请的专利面向集成无源器件仿真的电容识别与网格优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121212063B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511763176.7，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权面向集成无源器件仿真的电容识别与网格优化方法及系统是由蒋历国;代文亮;余柳;堵云竹设计研发完成，并于2025-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本面向集成无源器件仿真的电容识别与网格优化方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种面向集成无源器件仿真的电容识别与网格优化方法及系统。所述方法包括步骤：确定集成无源器件模型中的目标介质层；确定每对在目标介质层的所属平面上具有投影重叠关系的上金属接触面与下金属接触面的投影重叠区域及其包围盒的面积；将自身面积与包围盒的面积的比值大于比值阈值的投影重叠区域标记为目标投影重叠区域；将目标投影重叠区域的相关实体结构识别为电容；对电容的相关区域进行网格加密设置。所述系统包括对应地实现上述各个步骤的各个功能模块。根据本发明，能够通过物理特性自动查找IPD电容加密区域，且电容识别和网格设置一体化完成，实现了仿真阶段自适应过程的加速，在保证仿真精度的同时显著提升计算效率。

本发明授权面向集成无源器件仿真的电容识别与网格优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.面向集成无源器件仿真的电容识别与网格优化方法，其特征在于，包括： 确定集成无源器件模型中的符合厚度要求的目标介质层； 确定所述目标介质层对应的所有上金属接触面和所有下金属接触面，并确定每对在所述目标介质层的所属平面上具有投影重叠关系的上金属接触面与下金属接触面的投影重叠区域的面积，以及所述投影重叠区域的包围盒的面积； 计算每个投影重叠区域的面积与该投影重叠区域的包围盒的面积的比值，若一比值大于预定的比值阈值，则将相应的投影重叠区域标记为目标投影重叠区域； 确定所述目标投影重叠区域对应的上金属接触面和下金属接触面，并将相应的上金属接触面对应的实体、相应的下金属接触面对应的实体与所述目标介质层所构成的结构识别为电容； 将所述目标投影重叠区域的包围盒的区域定义为XY区域，将所述目标介质层的上下表面所限定的范围定义为Z区域，对所述XY区域与所述Z区域所共同限定的三维区域进行网格加密设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯和半导体科技(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区自由贸易试验区纳贤路60弄5号4层01室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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