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龙图腾网获悉深圳技术大学申请的专利二维材料层数识别方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121207888B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511734621.7，技术领域涉及：G01N21/25；该发明授权二维材料层数识别方法及设备是由王震;郭世文;张瑞;宁存政设计研发完成，并于2025-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本二维材料层数识别方法及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及信息处理技术领域，尤其涉及光学检测技术领域，尤其涉及一种二维材料层数识别方法及设备，由半导体光源、2×2波导分束器、光栅耦合器、片上光谱仪、超透镜和光探测器组成的光电子芯片结构紧凑、成本低，通过半导体光源发出光信号，依次经过2×2波导分束器、光栅耦合器和超透镜后照射到二维材料样品上，利用位移台进行精确的Z轴聚焦和XY平面扫描，实时采集反射光谱信号，并通过上位机分析光谱特征确定层数信息，最终生成层数分布图，该方法实现了快速、自动化、高精度的二维材料层数识别，而且便于进行大范围扫描检测。

本发明授权二维材料层数识别方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种二维材料层数识别方法，其特征在于，包括： 通过半导体光源向2×2波导分束器发出光信号，以使所述光信号依次经过所述2×2波导分束器、光栅耦合器和超透镜后直射到二维材料样品上； 驱动装载着所述二维材料样品的位移台沿Z轴方向进行往复移动，以使所述光信号聚焦到所述二维材料样品上； 获取二维平面扫描区域信息，根据所述二维平面扫描区域信息生成样品步进移动路径指令，以使所述位移台基于所述样品步进移动路径指令进行X轴向和Y轴向的移动； 每当所述位移台移动一个位置时，则利用光探测器接收从所述二维材料样品上反射后依次经过所述超透镜、所述光栅耦合器、所述2×2波导分束器和片上光谱仪的光谱信号，并将所述光谱信号转换为光谱电信号； 将所述光谱电信号传输到上位机，利用所述上位机分析所述光谱电信号的光谱特征，根据所述光谱特征确定当前扫描位置的层数信息，并记录当前扫描位置的二维坐标； 根据所述层数信息匹配对应的颜色值，将所述颜色值和所述二维坐标合并成一个数据点； 将所有的所述数据点填充到二维矩阵中，生成层数分布图； 其中，二维材料层数识别方法采用二维材料层数识别设备，所述二维材料层数识别设备包括SOI晶圆、半导体光源、2×2波导分束器、光栅耦合器、超透镜、光探测器、片上光谱仪、位移台和上位机，所述2×2波导分束器、光栅耦合器和片上光谱仪刻蚀在SOI晶圆的顶硅层，所述半导体光源设置于SOI晶圆的外侧，所述半导体光源与2×2波导分束器的第一输入端耦合连接，所述2×2波导分束器的第一输出端与光栅耦合器耦合连接，所述光栅耦合器与超透镜耦合连接，所述位移台设置于超透镜远离光栅耦合器的一侧，所述位移台的台面设有衬底，所述SOI晶圆的顶硅层一侧沉积有二氧化硅层，所述二氧化硅层远离SOI晶圆的一侧沉积有氮化硅层，所述超透镜刻蚀在氮化硅层，所述2×2波导分束器的第二输出端与片上光谱仪耦合连接，所述片上光谱仪与光探测器耦合连接，所述上位机与光探测器通过电性连接，所述2×2波导分束器的第二输入端用于反射光输入。

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