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龙图腾网获悉无锡金源半导体科技有限公司申请的专利一体化匀流气相喷淋头、成型工艺及半导体薄膜沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121204643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511716078.8，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一体化匀流气相喷淋头、成型工艺及半导体薄膜沉积设备是由杜朋;李镐赞;耿德会设计研发完成，并于2025-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一体化匀流气相喷淋头、成型工艺及半导体薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种一体化匀流气相喷淋头、成型工艺及半导体薄膜沉积设备，其中，该喷淋头包括：一体成型的喷淋本体，所述喷淋本体的第一侧被设置为进气侧、第二侧被设置为出气侧，所述喷淋本体位于靠近所述出气侧的内部开设有呈网格状纵横交错、并相互连通以形成气体扩散层的第一阵列孔和第二阵列孔，所述气体扩散层内具有多个呈阵列分布的出气过渡槽，各所述出气过渡槽均连通设置有贯通所述出气侧的出气孔；以及，进气流道组，包括依次连通的进气通道、第一导气通道、匀气环槽以及第二导气通道。本发明能够使得气体能够更加快速均匀的扩散至整个气体扩散层，再配合均匀密布的出气孔，能够使气体混合物从出气孔喷出后能够更加均匀的作用在晶圆上。

本发明授权一体化匀流气相喷淋头、成型工艺及半导体薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种一体化匀流气相喷淋头，其特征在于，包括： 一体成型的喷淋本体，所述喷淋本体的第一侧被设置为进气侧、第二侧被设置为出气侧，所述喷淋本体位于靠近所述出气侧的内部开设有呈网格状纵横交错、并相互连通以形成气体扩散层的第一阵列孔和第二阵列孔，所述气体扩散层内具有多个呈阵列分布的出气过渡槽，各所述出气过渡槽均连通设置有贯通所述出气侧的出气孔；以及， 进气流道组，用于将气体混合物从供气设备引流至所述气体扩散层； 其中，所述第一阵列孔和第二阵列孔的延伸方向均与出气侧表面相平行、且位于同一平面内，所述第一阵列孔和第二阵列孔相互交叉连接、并在相邻两所述第一阵列孔之间或者相邻两所述第二阵列孔之间形成分隔块，所述出气过渡槽位于分隔块的四周、并位于第一阵列孔或者第二阵列孔上，且所述出气过渡槽沿第一阵列孔或者第二阵列孔的延伸方向连续设置； 所述进气流道组包括：贯通所述进气侧的进气通道、设置于所述喷淋本体内的匀气环槽、若干连通所述进气通道和所述匀气环槽的第一导气通道、以及若干连通所述匀气环槽和所述气体扩散层的第二导气通道，所述第二导气通道的出气端与所述出气侧中心的间距为出气侧半径的25~35。

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