晶科能源(海宁)有限公司闫循磊获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利叠层电池及其制备方法和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121194620B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511719699.1，技术领域涉及：H10K39/15；该发明授权叠层电池及其制备方法和光伏组件是由闫循磊;王俊淦;徐孟雷;张远方;杨洁;张昕宇设计研发完成，并于2025-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本叠层电池及其制备方法和光伏组件在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种叠层电池及其制备方法和光伏组件，该叠层电池包括依次叠置的第一电极、电子传输层、吸收层、空穴传输层、钝化叠层、硅底层和第二电极；其中，钝化叠层包括依次叠置的掺杂ZnOS层、掺杂多晶硅层和SiO22层，且掺杂ZnOS层与掺杂多晶硅层的掺杂类型不同，掺杂ZnOS层位于空穴传输层与掺杂多晶硅层之间。本申请中通过在掺杂多晶硅层的上方引入掺杂ZnOS层，有助于解决ITO的寄生吸收限制的问题，并且掺杂ZnOS层具有较高的透光率和低接触电阻，有助于降低串联电阻，提升电流密度，进而有助于提高电池的填充因子和开路电压。
本发明授权叠层电池及其制备方法和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种叠层电池，其特征在于，所述叠层电池包括依次叠置的第一电极20、电子传输层40、吸收层50、空穴传输层60、钝化叠层70、硅底层90和第二电极120；其中，所述钝化叠层70包括依次叠置的掺杂ZnOS层71、掺杂多晶硅层72和SiO2层73，且所述掺杂ZnOS层71与所述掺杂多晶硅层72的掺杂类型不同，所述掺杂ZnOS层71位于所述空穴传输层60与所述掺杂多晶硅层72之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶科能源(海宁)有限公司，其通讯地址为：314000 浙江省嘉兴市海宁市黄湾镇安江路118号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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